삼성전자가 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보했다고 밝혔다. 낸드플래시를 1000단까지 쌓는 기술도 마련하겠다는 목표도 제시했다.
8일 송재혁 삼성전자 플래시 개발실장(부사장)은 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문을 통해 "이미 200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보했다"며 "시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보이도록 준비하고 있다"고 전했다.
이어 "3차원 스케일링 기술을 통해 높이의 한계를 가장 먼저 극복할 것"이라며 "1000단 V낸드 시대에도 혁신적인 기술력을 기반으로 신뢰성을 확보하겠다"고 덧붙였다.
삼성전자는 올해 하반기 176단의 7세대 V낸드를 적용한 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD)도 출시할 계획이다.
송 부사장은 "삼성전자의 7세대 176단 V낸드는 업계의 100단 초반대 6세대급 V낸드와 높이가 비슷하다"며 "이것이 가능한 이유는 삼성전자가 3차원 스케일링 기술로 업계 최소의 셀 크기를 구현했기 때문"이라고 강조했다.
이는 마이크론 등의 6세대 낸드와 비슷한 크기다. 똑같은 176단 낸드라도 삼성전자 제품 크기가 더 작다는 의미다. 마이크론은 지난해 11월 세계 최초로 176단 낸드 개발에 성공했다고 발표한 바 있다.
삼성전자의 3차원 스케일링 기술은 셀의 평면적과 높이를 줄여 체적을 최대 35%까지 줄였다. 셀의 체적을 줄이면서 생길 수 있는 셀간 간섭현상도 제어한 기술이다.
송 부사장은 "삼성전자는 한 번에 100단 이상을 쌓고 10억개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 '싱글스택 에칭' 기술력을 가진 유일한 기업"이라며 "향후 높이의 물리적 한계를 극복하고 수백단 이상의 초고단 낸드를 구현하는 기술력을 확보하고 있다"고 설명했다.
