유나이티드SiC는 기존 제품 대비 성능과 효율성을 높인 SiC FET 기반의 전력반도체 750V, 6mΩ 제품을 출시했다고 15일 밝혔다. 6mΩ 신제품은 SiC MOSFET 경쟁사와 비교할 때 절반 이하의 RDS(on) 값에서 5µs의 단락 저항 시간을 제공한다. 이와 더불어 정격6, 9, 11, 23, 33 및 44mΩ의 750V SiC FET 시리즈 9가지 신제품 및 패키지 옵션도 함께 공개됐다. 새로운 750V 시리즈는 이미 사용 가능한 18mΩ 및 60mΩ 제품들을 보완 및 확장해 출시됐다. 설계 유연성이 뛰어난 것이 특징이다. 이를 통해 설계자에게 더 많은 제품 옵션을 제공함과 동시에 넉넉한 설계 여유와 회로 견고성을 유지하게 해준다. UnitedSiC의 4세대 SiC FET는 SiC JFET과 Si MOSFET이 결합된 ‘캐스코드(cascode)’ 방식이다. 캐스코드 방식은 내장된 ESD 보호 기능을 제공하며, 고온 동작 시에도 고속 및 저손실 와이드밴드갭 기술을 구현한다. 최신 UnitedSiC SiC FET 제품은 전기 자동차의 트랙션 드라이브, 온보드 및 오프보드 충전기에 이용할 수 있다. 일반적인 신재생 에너지 인버터에서의 단방향 및 양방향 전력 변환, 역률 보정, 통신 변환기 및 AC/DC 또는 DC/DC 전력 변환의 모든 단계에서도 사용 가능하다.