아나로그디바이스(ADI)는 미국 오리건주 비버튼에 있는 반도체 웨이퍼 팹 설비 확장을 위해 10억달러 이상을 투자한다고 28일 밝혔다.
1978년에 완공된 비버튼 팹은 생산 물량 기준으로 ADI의 가장 큰 웨이퍼 제조 시설이다. 산업, 자동차, 통신, 소비가전, 헬스케어 등 핵심 산업 분야의 고객에게 서비스를 제공하고 있다.
이번 투자로 클린룸 공간은 약 1만 1000제곱미터(m2)로 늘어난다. 180nm 이상 첨단 미세공정 제품 생산량은 거의 두 배로 증가한다. 총 투자의 10%가량은 최신 첨단 팹 장비 구매에 사용된다. ADI는 생산량을 두 배 늘리면서도 온실가스 배출량은 75%, 생산 단위당 용수 사용량은 50% 절감하는 것을 목표로 하고 있다.
빈센트 로취 ADI CEO는 "비버튼 팹 시설을 확장함으로써 생산 능력을 높이고, 반도체 지원법(CHIPS Act) 취지에 맞춰 미국 내 제조를 활성화한다"며 "자체 팹과 외부 파운드리를 함께 이용하는 ADI의 하이브리드 제조 모델을 통해 글로벌 탄력성을 강화할 것"이라고 설명했다.
디일렉=노태민 기자 [email protected]
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