에이직랜드가 TSMC의 칩온웨이퍼온서브스트레이트(CoWoS) 비용을 개선한 차세대 패키징을 개발 중이다. 재배선(RDL) 인터포저와 실리콘(Si) 브릿지, 히트 스프레더 결합을 통해서다. 에이직랜드는 이를 통해 성능, 파워, 사이즈 개선이 가능하다는 입장이다. 강성모 에이직랜드 부장은 《디일렉》이 지난달 26일 서울 역삼 포스코타워에서 개최한 '반도체 하이브리드 본딩 콘퍼런스'에서 'TSMC 첨단 패키징&에이직랜드 턴키 솔루션'을 주제로 발표했다. 강 부장은 "칩온웨이퍼온서브스트레이트(CoWoS)는 통합팬아웃(InFO), 오가닉 서브스트레이트 패키지 대비 성능, 전력 개선이 가능하다"며 "인터포저 사이즈를 자유롭게 조정할 수 있다는 장점도 있다"고 설명했다. 이어 "우리는 (Si인터포저 비용을 개선한) 차세대 패키지를 개발하고 있다"고 덧붙였다. 강 부장이 설명한 CoWoS는 파운드리 기업 TSMC 어드밴스드 패키징의 한 종류다. Si인터포저와 실리콘관통전극(TSV) 등이 적용된 공정이다. 인터포저는 로직 다이와 고대역폭메모리(HBM) 등을 연결한다. 엔비디아 A100, H100, 인텔 가우디 등이 CoWoS를 통해 생산된 대표적인 반도체다. CoWoS는 크게 CoWoS-S(Si인터포저), CoWoS-R(RDL인터포저), CoWoS-L(LSI+RDL인터포저)로 나뉜다. CoWoS-S는 Si 인터포저 위에 로직 다이와 고대역폭메모리(HBM)을 부착한 대표적인 CoWoS 패키지다. CoWoS-R은 RDL 인터포저와 InFO를 적용한 형태다. RDL인터포저를 적용해 CoWoS 대비 가격 경쟁력이 우수하다는 장점이 있지만, 다이 간 인터커넥션이 불가능하다. CoWoS-L은 CoWoS-S와 InFO의 장점을 결합한 패키징이다. RDL인터포저를 통해 전체적인 비용을 축소했고, 로컬실리콘인터포저(LSI)를 탑재해 각 시스템온칩(SoC)과 HBM 간 인터커넥션을 지원한다.  에이직랜드가 개발 중인 패키지는 비용 절감을 위해 RDL 인터포저를 사용한다. HBM, SoC 등은 RDL 인터포저 위에 올리는 형태다. 다이 간 인터커넥션은 실리콘 브릿지를 활용한다. 또 발열을 낮추기 위해 히트 스프레더도 장착했다. 이를 통해 성능, 파워 개선이 가능하다. 이번 패키지 개발은 향후 고객 확보에도 긍정적인 영향을 끼칠 것으로 예상된다. 에이직랜드 국내 유일의 TSMC 디자인하우스다. 지난 2019년 TSMC 가치사슬협럭자(VCA)로 선정된 이후 매년 고속 성장하고 있다. 올 하반기에는 코스닥 상장도 목표하고 있다. 상장 자금 조달을 통해 글로벌 시장 개척에 나선다는 계획이다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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