UPDATED. 2024-10-17 14:40 (목)
삼성전자, 12나노급 32Gb DDR5 D램 연내 상용화
삼성전자, 12나노급 32Gb DDR5 D램 연내 상용화
  • 윤상호 기자
  • 승인 2023.09.01 11:00
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

단일 칩 기준 역대 최대 용량…전력 효율 10% 개선
삼성전자가 D램 개발 40년 만에 용량을 50만배 확대했다. 삼성전자는 업계 최초 12nm급 32Gb 더블데이터레이트(DDR)5 D램을 개발했다고 1일 밝혔다. 연내 양산 예정이다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준 역대 최대 용량이다. 16Gb D램 대비 같은 패키지 크기에서 구조 개선을 통해 2배 용량을 구현했다. 128GB 모듈을 실리콘관통전극(TSV) 공정 없이 제조할 수 있게 됐다. 16Gb TSV 공정 128GB 모듈 대비 전력 효율을 10% 개선했다. 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 황상준 부사장은 “이번 12nm급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며 “삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것”이라고 말했다. 디일렉=윤상호 기자 [email protected]

《반도체·디스플레이·배터리·자동차전장·ICT부품 분야 전문미디어 디일렉》


관련기사

댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.

  • 서울특별시 강남구 논현로 515 (아승빌딩) 4F
  • 대표전화 : 02-2658-4707
  • 팩스 : 02-2659-4707
  • 청소년보호책임자 : 이수환
  • 법인명 : 주식회사 디일렉
  • 대표자 : 한주엽
  • 제호 : 디일렉
  • 등록번호 : 서울, 아05435
  • 사업자등록번호 : 327-86-01136
  • 등록일 : 2018-10-15
  • 발행일 : 2018-10-15
  • 발행인 : 한주엽
  • 편집인 : 장지영
  • 전자부품 전문 미디어 디일렉 모든 콘텐츠(영상,기사, 사진)는 저작권법의 보호를 받은바, 무단 전재와 복사, 배포 등을 금합니다.
  • Copyright © 2024 전자부품 전문 미디어 디일렉. All rights reserved. mail to [email protected]