중국 전기차 기업 BYD가 반도체 투자를 늘린다. 차량용 반도체 자체 조달 비율을 늘리기 위해서다. BYD는 자회사 BYD반도체를 통해 실리콘카바이드(SiC) 금속산화물반도체(MOSFET)와 실리콘(Si) 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 등 전기차에 필요한 반도체를 생산하고 있다. 25일 국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 BYD가 내년 5억2440만달러(6833억원) 규모 투자를 집행할 계획이다. 이는 올해 투자한 것으로 알려진 3억5330만달러(4603억원) 대비 48.4% 증가한 수치다. BYD는 차량용 반도체 자체 수급을 위해 자회사 'BYD반도체'를 운영 중이다. BYD반도체에서는 SiC MOSFET과 Si 기반 IGBT를 생산 중이며, 1200V 고전압 SiC MOSFET도 개발하는데 성공했다. 업계에 알려진 BYD의 올해 웨이퍼 기준 월 생산능력(CAPA)은 7만5000여장 수준으로, 내년 웨이퍼 기준 월 CAPA를 9만8000여장까지 늘릴 방침인 것으로 알려졌다.  업계에서는 BYD가 향후 반도체 생산량을 더욱 늘릴 것으로 보고 있다. BYD가 도요타-덴소를 벤치마킹해 전기차 부품인 반도체와 배터리 사업 육성에 힘쓰고 있기 때문이다. 이외에도 다양한 중국 전기차 기업이 자체 반도체 생산에 나섰다. 창청자동차는 반도체 자회사 우시신동반도체를 통해 올 가을부터 전력 반도체 조달을 시작했으며, SUV 하발 시리즈에 탑재될 예정이다.  지리자동차그룹은 자체 개발한 반도체 롱잉원(Longying One)을 산하 브랜드 링크앤코 차량에 탑재하고 있다. 롱잉원은 스마트 콕핏용 칩으로 TSMC 7nm 공정을 통해 생산된다. 니오자동차도 자율주행에 필요한 라이다 센서 제어 반도체를 개발 및 양산 중이다. 

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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