삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 제고를 위해 HBM 개발실 신설을 추진한다. 최근 구성한 HBM 관련 태스크포스(TF)팀을 격상할 것으로 보인다.  7일 업계에 따르면 삼성전자가 HBM 개발 조직 신설을 검토 중이다. 현재 팀 규모는 정해지지 않았지만, 개발실 혹은 개발팀 조직으로 구성될 예정이다.  삼성전자 사안에 밝은 한 관계자는 "최근 이정배 메모리사업부장(사장)이 HBM 개발 조직 신설 검토를 지시했다"며 "만약 TF가 개발실 조직으로 격상되면 HBM 개발만을 위한 설계팀, 솔루션팀 등이 꾸려지게 되는데 개발부터 수율 안정화 등에 큰 도움이 될 것으로 예상된다"고 말했다. 이어 "개발실을 별도로 조직한다는 것은 삼성이 큰 위기감을 느끼고 있다는 방증"이라며 "개발실장은 부사장급이 맡게 된다"고 설명했다. 삼성전자는 최근 경계현 DS부문장(사장)의 지시로 HBM 관련 TF팀을 꾸렸다. HBM3 시장에서 SK하이닉스의 독주를 깨기 위한 특단의 조치다. 삼성전자는 이 TF팀을 정식 부서로 승격시켜 HBM3E 시장부터 헤게모니를 되찾겠다는 구상이다. 3세대 제품인 HBM2E의 경우 메모리 3사 중 삼성전자의 점유율이 가장 높다. 최근 마이크론이 차세대 제품인 HBM3E 양산을 발표하면서 삼성전자 내부의 위기감은 더욱 고조된 것으로 보인다. 후발주자인 마이크론의 HBM3E 8단 제품 생산을 시작하면서 엔비디아의 퀄테스트를 통과한 것으로 보이기 때문이다. 마이크론의 HBM3E는 올 2분기 출시되는 엔비디아 H200에 탑재된다. 삼성전자도 2월 말 HBM3E 12단 제품 개발을 발표하며, 상반기 내 양산에 돌입할 예정이라고 밝혔다. 마이크론과 달리 구체적인 고객사에 대해서는 언급하지 않았다. 업계에서는 삼성전자의 HBM3E 고객사가 미국 빅테크, AMD 등으로 추정하고 있다. HBM 개발 조직은 이런 시장 판도를 바꿀 일종의 승부수다. 이 조직이 신설되면, HBM3E 수율 안정화, HBM4 개발 등 업무를 담당할 것으로 예상된다. HBM4는 하이브리드 본딩, 핀펫(FinFET) 공정을 통해 생산한 로직 다이 등 신기술이 적용돼 개발 난도가 높다. 하이브리드 본딩은 차세대 패키징 기술로 주목받고 있는 기술로 기존 본딩 방식 대비 I/O와 배선 길이 등을 개선할 수 있다는 장점이 있다. 업계에서는 HBM4부터 하이브리드 본딩 방식이 적용될 것으로 보고 있다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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