삼성전자가 5세대 제품인 HBM3E 개발에 성공했다. SK하이닉스가 올 상반기, 마이크론이 올 2분기 양산을 예고한 가운데, 삼성전자도 본격적으로 차세대 HBM 주도권 경쟁에 나선 것이다. 이로써 차세대 HBM 시장을 둘러싼 '3파전'은 한층 치열해질 전망이다. 삼성전자는 27일 12단 HBM3E 개발에 성공했으며, 상반기 내 양산에 돌입할 예정이라고 밝혔다. 고객사는 밝히지 않았다.  12단 HBM3E는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 36GB 용량을 제공해 HBM3 8단 대비 50% 이상 성능이 개선된 제품이다.  삼성전자는 24Gb D램 칩을 실리콘관통전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 36GB HBM3E를 구현했다. 삼성전자는 어드밴스트 TC-NCF 기술로 12단과 8단 제품을 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족시켰다.  회사 측은 "어드밴스드 TC-NCF 기술 적용 시 HBM 적층수가 증가하고, 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 휨 현상을 최소화할 수 있다"고 설명했다. 칩간 간격은 7마이크로미터(um)'를 구현했다. 특히, 칩과 칩 사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를 목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용했다. 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화했다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 "삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 말했다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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