삼성전자가 극자외선(EUV) 패터닝 개선에 사용되는도쿄일렉트론(TEL)의 신규 가스 클러스터 빔(GCB) 장비를 테스트 중이다. 검증 결과에 따라 어플라이드머티어리얼즈(어플라이드)가 선진입한 EUV 패터닝 개선 장비 시장에 균열이 일어날 수 있다.
2일 업계에 따르면 삼성전자가 TEL의 신규 장비 '아크레비아(Acrevia)'를 테스트 중이다. 아크레비아는 TEL의 GCB 장비다. 이온 빔을 활용하는 장비로 웨이퍼의 국소 부위를 쉐이핑하는 데 쓸 수 있다.
TEL은 아크레비아 장비로 EUV 공정의 패턴 거칠기(LER)와 패턴 결함 등을 개선할 수 있다고 강조한다. 업계에서는 이 장비를 통해 패턴 개선 외에도 공정 단축 등을 이뤄낼 수 있을 것으로 보고 있다. 삼성전자에 정통한 한 관계자는 "(TEL의 신규 장비는) 어플라이드 '센츄라 스컬프타(Centura Sculpta)' 장비와 유사한 컨셉"이라며 "현재 이 장비를 테스트 중인데, 향후 양산 공정에 적용 시 상당수 비용을 절감할 수 있을 것"이라고 기대했다.
업계에서 TEL의 신규 장비 적용으로 마진 개선을 기대하는 이유는 크게 두 가지다. 첫 번째 이유는 이온 빔을 조사하는 방식으로 패턴 쉐이핑이 가능하기 때문이다. 이를 이용하면, EUV 멀티 패터닝이 필요한 회로를 싱글 패터닝만으로 새길 수 있다. 또 EUV 패터닝 시 발생하는 스토캐스틱(Stochastic) 오류를 제거할 수도 있다. 스토캐스틱 오류는 임의적이면서 반복적이지 않은 오류를 뜻한다. EUV 패터닝 오류의 50%를 차지할 만큼, 오류 발생이 빈번하다.
TEL 관계자는 "고객사와 장비 테스트 진행 중인 것은 맞다"며 "메모리 공정보다 파운드리 공정에 먼저 적용될 것으로 보인다"고 말했다.
TEL의 신규 장비가 호평을 받고 있는 만큼, EUV 패터닝 개선 장비 시장의 판도 변화도 예상된다. 현재 이 시장의 강자는 어플라이드다. 지난해 출시한 센츄라 스컬프타를 삼성전자, 인텔 등 기업에 공급하며 시장 지배력을 강화하고 있다. 어플라이드는 지난 4월 배포한 보도자료에서 삼성전자 4nm 공정에 센츄라 스컬프타 장비를 테스트 중이라고 밝힌 바 있다. 이 장비도 이온 빔을 조사하는 방식으로 웨이퍼의 패턴 오류 등을 개선시킨다. 이외에도 2nm 공정에서 브릿지 결함 제거 기능을 테스트하고 있는 것으로 알려졌다.
어플라이드는 올해 센츄라 스컬프타 매출이 올해 2억달러, 내년에는 5억달러로 성장할 것이라고 전망했다.
디일렉=노태민 기자 [email protected]
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