SK하이닉스가 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노(㎚·1나노는 10억분의 1미터)급 6세대(1c) 기술을 세계 최초로 개발했다. 앞서 5세대인 10나노 1b는 지난해 5월 삼성전자가 SK하이닉스보다 열흘 먼저 양산했지만, 6세대는 SK하이닉스가 한발 앞서 나간 셈이다. 차세대 D램을 두고 두 기업의 자존심 경쟁이 치열해지고 있다.
SK하이닉스가 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발했다고 29일 밝혔다.
SK하이닉스는 "연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것"이라고 강조했다.
SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다.
또, 극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다.
고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 또, 전력효율은 9% 이상 개선됐다. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다.
김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM 개발담당)은 "1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라고 말했다.
디일렉=노태민 기자 [email protected]
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