하대원 삼성전자 마스터가 지난 13일 IMW 2024에서 '10nm 이하 공정을 위한 IGZO 기반 D램 셀 구조와 핵심 기술'에 대해 발표하고 있다. <사진=IMW 2024>
메모리 반도체 연례 국제 학회인 ‘국제 메모리 워크숍(IMW) 2024’가 15일 성황리에 폐막했다. IMW 2024는 서울 광진구 그랜드 워커힐 호텔에서 12일부터 나흘간 진행했다. 올해 워크숍에서는 고대역폭메모리(HBM), 3D D램, 4F 스퀘어, 차세대 채널 소재, 하이브리드 본딩 등 다양한 연구 논문이 발표됐다.
IMW가 한국에서 개최된 건 14년만이다. 서울대학교 재료공학부에서 IMW 2024 운영 전반을 맡았다. 올해 행사는 한국에서 열린 만큼, 삼성전자, SK하이닉스, 세메스 등 국내 기업 관계자들과 서울대학교, 카이스트, 지스트 등 학계 관계자들의 참여가 많았다. 해외에서는 마이크론, 키옥시아, TSMC, 글로벌파운드리, 어플라이드머티어리얼즈(어플라이드), Imec, CXMT, 버클리대(UC버클리), 칭화대, 동경대 등이 참여했다.
한 연구자가 SK하이닉스의 ACiM 관련 포스터를 읽고 있다. <사진=IMW 2024>
기조 강연은 하대원 삼성전자 마스터와 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장, 카츠마타 료타 키옥시아 디렉터 등이 맡았다. 하대원 마스터는 ‘10nm 이하 공정을 위한 IGZO 기반 D램 셀 구조와 핵심 기술’을 주제로 발표했다. IGZO는 인듐(In)·갈륨(Ga)·산화아연(ZnO)으로 구성된 금속 산화물 소재다. 김귀욱 팀장은 ‘HBM의 현재와 미래, 도전 과제’를, 카츠마타 료타 디렉터는 ‘플래시 메모리 혁명’을 주제로 잡았다. 김귀욱 팀장은 이날 발표에서 HBM의 개발 주기가 2년에서 1년으로 줄었다고 설명했다.
입문 연구자를 위한 튜토리얼 세션도 열렸다. 황철성 서울대학교 재료공학부 석좌교수는 ‘차세대 메모리 소자와 관련한 최신 연구동향’에 대해 강연했다. 링 리(Ling Li) 중국과학원(CAS) 마이크로전자공학연구소(IME) 부소장은 ‘IGZO 2T0C D램’을 소개했다. 2T0C D램은 2개 트랜지스터만으로 D램을 만드는 콘셉이다. 기존 D램은 1개 트랜지스터, 1개 캐패시터(1T1C)로 만든다.
‘메모리를 위한 어드밴스드 채널 소재’를 주제로 패널 토론도 열렸다. 이 토론에는 이시우 삼성전자 부사장, 박주동 SK하이닉스 부사장, 카츠마타 료타 키옥시아 디렉터, 시바 라메쉬(Siva Ramesh) Imec 연구원, 마헨드라 파칼라 어플라이드 매니징 디렉터 등이 참여했다. 패널 토론에서는 IGZO부터 몰리브덴, 루테늄 등 다양한 차세대 소재 등이 언급됐다. 이날 이시우 부사장은 IGZO가 언제쯤 적용될 것이냐는 질문에 “지금 당장은 어렵다”고 답변하기도 했다.
