SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)를 2026년 양산하겠다는 목표를 내놨다. HBM4E는 10nm급 6세대(1c) D램이 첫 적용되는 제품이다. 당초 2027년 이후 양산을 목표했으나, 엔비디아 등 주요 고객사의 요청으로 앞당긴 것으로 보인다. SK하이닉스의 개발 로드맵 변경으로, 삼성전자, 마이크론 등 주요 경쟁사의 차세대 HBM 개발 및 양산 시점도 빨라질 것으로 예상된다. 김귀욱 SK하이닉스 TL은 13일 서울 광진구 그랜드 워커힐 서울에서 개최된 국제 메모리 워크(IMW) 2024에서 “HBM은 그동안 2년 주기로 제품이 개발됐었다”며 “최근 이 주기가 기술 발전 등으로 1년가량 빨라졌다”고 말했다. 이번 HBM4E 양산 일정 변경에는 엔비디아 등 주요 고객사의 요청이 영향을 끼친 것으로 보인다. SK하이닉스 관계자는 “HBM4E의 가장 큰 특징은 32기가비트(Gb) D램 칩이 적용되는 점”이라며 “이를 위해 1c D램을 코어 다이로 사용한다”고 설명했다. 이어 “HBM4까지는 코어 다이로 1b D램을 쓴다”고 덧붙였다. 업계에서는 SK하이닉스가 HBM4에도 1b D램을 사용해 경쟁사 대비 빠르게 제품 개발을 완료할 것으로 보고 있다. 현재, HBM4E는 제품 콘셉트 등을 정하는 개발 초기 단계다. 구체적인 적층 단수나, 본딩 방법 등도 확정되지 않은 것으로 확인됐다. 다만, HBM을 20단 이상 쌓게 되면, 하이브리드 본딩 방식을 적용할 것으로 추정된다. 김 TL은 하이브리드 본딩 적용 시점에 대해 “하이브리드 본딩이 양산 공정에 적용하기에는 수율 문제가 있다”며 “HBM4에서 하이브리드 본딩 사용 확률은 낮다”고 귀띔했다. SK하이닉스가 HBM 양산 로드맵을 앞당기면서, 삼성전자 등 경쟁사의 HBM 개발 속도도 가속화될 것으로 보인다. 삼성전자는 HBM 경쟁력 제고를 위해 차세대 HBM 개발 조직을 이원화해 운영하고 있는 상황이다. HBM3E는 기존 HBM 개발을 담당하던 D램 설계팀이, 내년 양산 예정인 HBM4는 최근 신설한 HBM 개발팀이 전담한다. 다만, 아직까지 개발 로드맵상 양산 시점은 SK하이닉스가 빠른 상황이다. 삼성전자는 지난 1월 개최된 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 HBM4의 경우, 내년 샘플링을 시작하고, 2026년 양산을 시작할 계획이라고 밝혔다. 한편, SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품의 경우 주요 고객사에 샘플을 보내 퀄 테스트를 진행 중이다. HBM3E 8단 제품은 지난해 3월 말부터 고객사에 공급하고 있다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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