SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 12단 양산 계획을 내년 하반기로 앞당겼다. 당초 2026년 양산을 목표로 했으나, 엔비디아 등 주요 고객사의 요청을 반영해 양산 계획을 수정한 것으로 보인다.  SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, 2025년에 HBM4를 양산하겠다는 계획을 공개했다. 구체적으로 HBM4 12단 제품을 내년 하반기, 16단 제품의 경우 2026년 양산을 시작한다.  이번 HBM4 양산 일정 변경에는 엔비디아 등 주요 고객사의 요청이 반영될 것으로 보인다. SK하이닉스 관계자는 "HBM4 12단 제품의 경우 내년 양산을 목표하고 있는 것이 맞다"며 "16단의 경우 고객사의 요청 등을 반영해 생산할 예정"이라고 말했다. HBM4는 차세대 제품인 만큼, 코어 다이(D램)로 10nm 6세대(1c) D램을 탑재할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 HBM3E 양산에 1b D램을, HBM3에는 1b 이하 D램을 사용했다. 로직 다이는 TSMC 로직 공정을 통해 생산한다. 이를 위해 지난달 기술 협력 관련 MOU를 체결했다. 업계에서는 SK하이닉스가 TSMC 7nm 핀펫(FinFET) 공정을 이용할 것으로 보고 있다. 그동안 SK하이닉스는 D램 공정을 통해 로직다이를 양산했다. SK하이닉스는 HBM4 양산에도 어드밴스드 매스리플로우(MR)-몰디드언더필(MUF) 기술을 적용한다는 입장이다. 최우진 SK하이닉스 부사장은 "매스리플로우(MR)-몰디드언더필(MUF) 기술이 최근 하이 스택에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있다"며 "우리는 이미 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 HBM3 12단 제품을 양산하고 있다"고 설명했다. 이어 "어드밴스드 MR-MUF는 칩의 휨 현상 제어에도 탁월한 고온, 저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션"이라며 "향후 HBM4 역시 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 16단 제품까지 순조롭게 기술 개발 중"이라고 부연했다. 한편, SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품의 경우 오는 3분기까지 양산 준비를 마치겠다는 계획을 내놨다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 "HBM3E 12단 제품을 5월에 샘플 제공하고, 3분기에 양산 가능하도록 준비 중"이라고 밝혔다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
《반도체·디스플레이·배터리·전장·ICT·게임·콘텐츠 전문미디어 디일렉》