SK하이닉스가 올해에 이어 내년 고대역폭메모리(HBM) 생산분도 대부분 솔드아웃 됐다고 밝혔다. 업계에 퍼지고 있는 HBM 공급 과잉 우려에 대해, HBM3E 시장에서도 SK하이닉스의 시장 지배력이 공고하고 HBM 수요 강세가 지속되고 있다고 밝힌 것이다. SK하이닉스는 2일 경기도 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 한 내외신 기자간담회를 열고, AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주, 용인, 미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 소개했다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 먼저 "HBM 생산 측면에서 저희 제품은 올해 이미 솔드아웃이지만, 내년에도 대부분 솔드아웃됐다"며 "기술 측면에서는 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 HBM3E 12단 제품을 5월에 샘플 제공하고, 3분기에 양산 가능하도록 준비 중"이라고 말했다. 이어 "HBM 누적 매출이 2024년까지 100억달러 중반이 될 것"이라고 전망했다. 곽 사장은 업계에 퍼지고 있는 과잉 공급 우려에 대해 "HBM 시장이 (기존 메모리 등) 범용제품(커모디티)와 다른 성격이 있어, 고객의 수요를 바탕으로 투자를 집행하는 경향이 강하다"며 "이를 통해 과잉 투자를 억제할 수 있다"고 자신했다. SK하이닉스는 증가하고 있는 HBM 수요에 대응하기 위해 생산능력(CAPA) 확충도 진행 중이다. 청주 M15에 실리콘관통전극(TSV) 라인 셋업을 진행 중이며, 신규 팹인 M15X에는 20조를 투자해 차세대 D램을 생산할 예정이다. SK하이닉스가 M15 TSV 라인 등을 고려해 M15X D램 생산을 결정했다고 한 만큼, M15X에서 생산된 D램은 차세대 HBM 생산에 쓰일 것으로 보인다. 김영식 부사장은 "M15X는 극자외선(EUV) 스페이스를 포함한 연면적 6만3000평 규모에, 2복층 구조로 건설된다"며 "지난 4월 공사를 시작했고, 내년 클린룸 오픈을 거쳐, (본격적인) 양산은 2026년 3분기에 양산을 계획하고 있다"고 소개했다. 미국 인디애나에 건설 예정인 어드밴스드 패키지 기지는 2028년 하반기부터 제품 양산이 시작될 것 예정이다. 최우진 부사장은 "인디애나는 미 중서부를 중심으로 한 반도체 생태계인 실리콘 하트랜드(Silicon Heartland)의 주요 거점"이라며 "SK하이닉스는 이 지역에서 고객 협력과 AI 경쟁력 강화를 추진하는 한편, 주변 대학 및 연구개발센터들과 연구개발 협력을 통해 반도체 인력을 양성하고, AI 미래 산업에도 기여하겠다"고 밝혔다. HBM4 기술 로드맵에 대해서도 설명했다. 최 부사장은 "매스리플로우(MR)-몰디드언더필(MUF) 기술이 최근 하이 스택에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있다"며 "우리는 이미 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 HBM3 12단 제품을 양산하고 있다"고 강조했다. 이어 "향후 HBM4 역시 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 16단 제품까지 순조롭게 기술 개발 중"이라고 부연했다. 경쟁사인 삼성전자, 마이크론 등 기업들은 열압착(TC)-비전도성접착필름(NCF) 기술을 통해 HBM 양산을 진행 중이다. SK하이닉스는 2025년 말 HBM4 개발, 2026년 양산을 목표하고 있다. 최근 수요가 급증하고 있는 eSSD 시장에 대응하기 위해 300테라바이트(TB) 고용량 제품도 선보인다. 현재 시장에 유통되고 있는 최고 용량 제품은 솔리다임의 60TB SSD 제품이다. 안현 부사장은 "SK하이닉스에도 올해 말 QLC 기반 60TB (SSD)를 개발하고, 내년에는 300TB 제품을 준비해 솔리다임과 SK하이닉스가 같이 공급 대응해 나갈 예정"이라고 설명했다. 한편, 이날 행사에는 곽노정 사장과 함께 김주선 사장(AI Infra 담당), 김종환 부사장(D램개발 담당), 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김영식 부사장(제조/기술 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 류병훈 부사장(미래전략 담당), 김우현 부사장(CFO) 등 주요 경영진이 참석했다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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