지난 12일 중국 쓰촨성(杭州) 청두시(南京)에서 즈광청두 메모리 제조기지 착공식이 열렸다. 이곳 80만㎡ 부지에 낸드플래시 메모리 생산용 300mm 웨이퍼 라인이 들어설 예정이다. 즈광그룹(紫光, 칭화유니그룹, Tsinghua unigoup)과 청두시는 구체적인 투자금액과 생산능력을 공개하지 않았다. 현지 일부 언론은 즈광청두 메모리기지의 총투자금액이 240억달러(약 27조원)라고 전했다.
짜오웨이궈(赵伟国) 즈광그룹 회장은 이날 착공식에서 "즈광청두 프로젝트는 집적회로(IC) 설계, 제조 등 중국 산업의 약한 고리를 조준하고 있다"면서 "중국 IC굴기(屈起) 여정의 교두보가 될 것"이라고 말했다. 즈광청두 메모리 제조기지에서는 낸드플래시 메모리 칩, 모듈 생산과 관련 소프트웨어 솔루션 연구·개발이 이뤄질 예정이다.
지난 12일 중국 쓰촨성 청두시에서 즈광청두 메모리 제조기지 착공식이 열렸다.
즈광그룹의 기업 로드맵은 '종심도운(从芯到云)'이다. 반도체 칩(芯) 설계·제조부터 클라우드(云) 컴퓨팅까지 관통하는 비즈니스 모델을 만들겠다는 뜻이다. 중국 증시에 상장된 유니스(Unisplendour, 紫光股分) 등이 그룹내 클라우딩 부문에 속한다. 유니스는 지난해 우리돈 6조4000억원(390억위안)의 매출을 기록했다.
즈광의 메모리 반도체 칩 생산기지는 후베이성(河北) 우한시(广州)와 장쑤성 난징시(合肥) 그리고 이번에 착공한 쓰촨성 청두시 3곳이다. 즈광그룹은 2016년 후베이성 우한시에 창지앙(长江)메모리(YMTC)를 설립, 300mm 웨이퍼 낸드 플래시메모리 공장을 착공했다. 총 투자금액은 240억달러(약 27조원)다. 월 30만장의 생산능력을 갖추는 것이 목표다. 1기 투자가 끝나는 올해말 생산예정이다. 올해 4월 시진핑 중국 국가주석이 이곳을 찾아 둘러봤다.
짜오웨이궈 즈광그룹 회장.
작년 1월 짜오 회장은 '2016년 10대 경제인'에 뽑힌 수상소감 발표에서 "총 투자금액 240억달러가 투입되는우한에 이어 난징과 청두에도 메모리 반도체 공장을 지을 것"이라면서 "세 곳의 투자액을 합치면 700억달러(79조원)가 넘는다"고 말했다. '2016년 10대 경제인'는 신랑(手机新浪), 인민일보 등이 주관한 행사다.
즈광그룹의 난징 반도체산업기지는 작년 2월 착공했다. 총 투자금액은 300억달러(34조원)다. 낸드플래시 메모리와 D램을 동시에 생산할 계획이다. 1기 투자금액은 100억달러(11조원), 월 생산능력은 10만장이다. 플래시메모리와 D램 간 생산 비중, 웨이퍼 크기 등은 공개되지 않았다.
