유나이티드SiC가 4세대 실리콘카바이드(SiC) FET 기반 전력 반도체 신제품 4종을 출시한다고 8일 밝혔다.  750볼트(V) SiC FET은 18메가옴(mΩ), 60mΩ을 옵션으로 이용할 수 있다. 750V를 활용해 더 많은 설계 헤드룸을 제공하고 설계 제약을 줄여준다. 400V, 500V 버스 전압 애플리케이션에 유용하다. +/- 20V, 5V Vth의 호환되는 게이트 드라이브로 모든 장치를 0에서 +12V까지 게이트 전압으로 구동할 수 있다. 기존의 SiC 모스펫(MOSFET)이나 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 게이트 드라이버 등과 함께 연동이 가능하다. 가장 낮은 RDS(on) x EOSS(mΩ -uJ)를 나타내어 턴온, 턴오프 손실을 낮춘다.  자동차, 산업용 충전, 텔레콤 정류기, 데이터 센터 PFC, DC-DC 변환, 재생 에너지, 에너지 저장과 같은 전력 애플리케이션에 활용될 수 있다.  아눕 발라 유나이티드SiC 엔지니어링 부사장은 "전압, 전력 수요가 높은 분야의 엔지니어들이 직면한 문제를 해결해 준다"며 "비용, 열 효율성, 설계 헤드룸을 개선한 새로운 4세대 제품을 많이 선보일 예정"이라고 전했다.