ST마이크로일렉트로닉스(ST)가 절연 게이트 드라이버 STGAP 제품군에 새로운 STGAP2SiCS를 추가했다고 2일 밝혔다.
이 드라이버는 실리콘카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET)을 안전하게 제어하는 제품이다. 최대 1200V의 고전압 레일에서 동작한다. STGAP2SiCS는 최대 26V의 게이트 구동 전압을 생성할 수 있다. 15.5V의 높은 UVLO(Under-Voltage Lockout) 임계값을 제공함으로써 SiC MOSFET의 턴온 요건을 충족한다. 낮은 공급 전압 때문에 구동 전압이 너무 낮을 경우, UVLO는 MOSFET을 턴오프해 과도한 손실을 방지해준다. 이 드라이버는 듀얼 입력 핀을 갖춰 설계자가 게이트 드라이브의 신호 극성을 결정할 수 있다.
STGAP2SiCS는 입력 영역과 게이트 구동 출력 사이에 6kV의 갈바닉 절연을 제공한다. 컨슈머, 산업용 애플리케이션의 안전을 보장하게 해준다. 4A의 출력 싱크/소스 기능은 고급 가전제품, 산업용 드라이버, 팬, 인덕션 히터, 용접기, 무정전전원장치(UPS) 등의 컨버터, 인버터, 전원공급장치에 사용될 수 있다.
이 제품은 두 가지의 출력 구성으로 제공된다. 첫 번째 구성은 전용 게이트 저항을 사용해 턴온 및 턴오프 시간을 최적화하는 별도의 출력핀이다. 두 번째 구성은 SiC MOSFET의 게이트 소스 전압의 발진을 제한하는 액티브 밀러 클램프다. 이는 단일 출력 핀을 갖춰 원치 않는 턴온을 방지하고 신뢰성을 향상시켜 준다. 입력 회로는 3.3V까지 CMOS/TTL 로직과 호환되기 때문에 다양한 제어 IC와 쉽게 인터페이스할 수 있다.
STGAP2SiCS는 시스템의 전력소모를 줄여주는 대기 모드, 하드웨어 인터로크 등의 통합 보호 기능을 갖췄다. 저전압 영역과 고전압 구동 채널 모두에서 교차전도 및 열 셧다운을 방지할 수 있다. 저전압 및 고전압 영역 사이의 전파지연을 매칭해 사이클 왜곡을 방지하고 에너지 손실을 최소화한다. 총 지연은 75ns 미만이다. 높은 스위칭 주파수까지 정확한 PWM(Pulse-Width Modulation) 제어가 가능하다.
STGAP2SiCS는 소형 풋프린트 내에서 8mm의 연면거리를 지원하는 와이드-바디 SO-8W 패키지로 하우징돼 있다. 가격은 1000개 구매 시 2달러다.
