고성능 데이터센터, 머신러닝, 슈퍼컴퓨터 등 최첨단 기술에 활용
SK하이닉스가 데이터센터, 슈퍼컴퓨터 등에 활용되는 4세대 HBM D램을 개발하는 데 성공했다. 본격적인 상용화 시기는 내년으로 예상된다.
SK하이닉스는 현존 최고 사양의 D램인 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다.
HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다. 데이터센터, 슈퍼컴퓨터 등에 쓰이는 고성능 제품으로 일반 D램 제품보다 가격이나 수익성이 높다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품으로, HBM은 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E) 순으로 개발되어 왔다.
속도 측면에서 HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다. 이와 함께 이 제품에는 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)가 내장돼 있다. HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성도 높아졌다.
이번 HBM3는 16GB와 업계 최대 용량인 24GB로 출시될 예정이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결해냈다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.
다만 업계는 데이터센터 시장이 HBM3를 탑재할 만한 기술적인 환경을 아직 갖추지 못한 것으로 평가하고 있다. 이에 따라 HBM3의 본격적인 상용화 시기는 4세대 HBM D램을 위한 규격이 마련되는 내년이 될 것으로 전망된다.
