GaN 전력반도체, 산업 전반에서 수요 급증
국내 8인치 파운드리 업체 키파운드리가 차세대 화합물반도체인 GaN(질화갈륨) 시장에 뛰어든다. 최근 관련 연구·개발 조직을 별도로 마련하고, 구체적인 개발 방향을 논의하고 있다.
28일 업계에 따르면 키파운드리는 최근 8인치 GaN 웨이퍼 기반의 파운드리를 신규 사업으로 추진하는 방안을 적극 검토 중이다.
키파운드리가 GaN 소자 및 공정 개발에 나서는 것은 이번이 처음이다. 그간 키파운드리는 8인치 실리콘(Si) 웨이퍼 기반의 디스플레이구동칩(DDI), 비휘발성 메모리(eNVM), 전력반도체(PMIC) 등을 위탁 생산해왔다.
GaN은 기존 웨이퍼 소재인 실리콘(Si) 대비 고온에 대한 내구성이 높고 스위칭 속도가 빠르다. 또한 밴드갭이 실리콘 대비 3배가량 넓어 와이드밴드갭(WBG) 소재로 불린다. 밴드갭은 전자가 모여있는 '전도대'와 전자가 비활성된 '가전자대' 영역 간의 에너지 폭으로, 수치가 높을수록 전력 효율성이 뛰어나다.
이같은 특성 덕분에 GaN 전력반도체는 소비자용 가전기기, RF(무선통신), 차량용 전력반도체 등 다양한 산업에서 활용도가 증가하는 추세다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 소자 시장은 2021년 1억2600만 달러에서 2027년 20억 달러로 연평균 59%의 고성장이 예상된다.
키파운드리도 이같은 GaN 전력반도체의 성장성에 주목해 시장 진출을 추진하는 것으로 보인다. 최근 WBG 연구개발 조직을 별도로 마련하고, GaN 소자 및 공정 개발을 위한 준비에 착수했다. 구체적인 개발 방향, 사업 전략 등은 조만간 구체화될 예정이다.
