삼성전자가 V낸드의 적층 경쟁이 1000단 이상까지 이어질 것으로 내다봤다. 1000단 낸드 등장 시기는 2030년이다. V낸드는 24단에서 출발, 지난 10년 동안 200단 이상까지 진화했다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)은 29일 제주 서귀포시 롯데호텔 제주에서 열린 ‘대한전자공학회(IEIE) 2023년도 하계종합학술대회’ 기조강연에서 “V낸드는 2030년 1000단 이상까지 올라갈 것”이라며 “V낸드 구조는 2013년 처음 시작했을 때보다 확장성과 지속 가능한 구조라는 것을 증명했다”라고 밝혔다.
그는 이날 ‘V낸드의 과거·현재·미래’를 주제로 강연했다.
V낸드는 2013년 삼성전자가 처음 상용화한 3차원(3D) 낸드플래시 메모리반도체를 일컫는다. 도시바가 낸드를 최초로 개발했지만 대중화는 삼성전자가 만든 V낸드가 기폭제가 됐다는 평가를 받고 있다. 현재 생산하는 대부분 낸드는 V낸드 구조를 따르고 있다.
허 부사장은 “V낸드가 있었기 때문에 낸드의 역사가 끊기지 않고 지속할 수 있었다”라며 “우리나라가 기술과 생태계를 만든 몇 안 되는 성공 사례”라고 강조했다.
전 세계 데이터 생산량은 급증세다. ▲2020년 40ZB에서 ▲2025년 17ZB ▲2030년 612ZB ▲2035년 2142ZB까지 성장할 전망이다. 낸드 수요도 그만큼 늘어난다.
허 부사장은 “1000단 이상 낸드를 쌓기 위해서는 건물처럼 층수가 올라가도 쓰러지거나 휘거나 부러지지 않도록 하는 안정성 구현, 균일한 연결 구멍 가공, 셀 간섭 최소화, 층별 높이 단축, 층별 저장용량 확대 등 숙제가 많다”며 “1950년대 반도체 등장 1970년대 D램 1990년대 낸드 2010년대 V낸드처럼 20년 주기로 급변하는 반도체의 역사를 감안하면 지금이 2030년 이후에도 가능한 낸드의 구조를 고민해야 할 때”라고 말했다.
디일렉=윤상호 기자 [email protected]
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