삼성전자가 유럽 전장 시장 공략에 본격적으로 나선다. 유럽 현지에서 파운드리 포럼을 열고 자동차 전장용 반도체 로드냅을 제시했다. 유럽 주요 자동차 메이커들과의 협업을 강화하기 위해서다.  삼성전자가 19일(현지시간) 독일 뮌헨에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 열고 최첨단 공정 로드맵과 전장 등 응용처별 파운드리 전략을 선보였다고 발표했다. 포럼에서는 레거시 반도체부터 최첨단 공정 등 다양한 맞춤형 솔루션이 공개됐다. SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들은 최신 파운드리 기술 트렌드와 발전 방향을 공유하는 부스를 운영했다. 삼성전자는 이번 포럼에서 업계 최초로 5나노 eMRAM 개발과 BCM 공정 확대 등 전장 솔루션 포트폴리오 확대 계획을 밝혔다. eMRAM은 빠른 읽기·쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 작동하는 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체다. 삼성전자는 2019년 업계 최초로 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM을 탑재한 제품을 양산했고, 현재 목표는 2024년까지 14나노 eMRAM 개발을 완료하는 것이다. 14나노 eMRAM은 자동차 부품 협회에서 규정한 신뢰성 평가 기준 AEC-Q100 Grade 1에 맞춰 핀펫(FinFET) 공정을 기반으로 개발 중이다. 이어 2026년 8나노·2027년 5나노까지 eMRAM 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eMRAM은 이전 14나노 대비 직접도는 30%, 속도는 33% 증가할 것으로 예상된다. 8인치 BCD 공정 포트폴리오도 강화된다. 삼성전자는 현재 양산중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대할 예정이다. 90나노 전장 공정은 현 공정 대비 칩 면적이 약 20% 감소될 것으로 기대된다. BCD 공정은 주 Bipolar(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것이다. 또한, 전력반도체의 성능을 향상시키는 DTI(Deep Trench Isolation) 기술을 활용해 기존 고전압을 70 볼트(Volt)에서 120 볼트로 높일 예정이다. 2025년 120 볼트를 적용한 130나노 BCD 공정설계키트를 제공할 계획이다. 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 "차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체, MCU(Micro Controller Unit) 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획"이라며 "삼성전자만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것"이라고 밝혔다. ‘삼성 파운드리 포럼 2023’은 앞서 미국, 한국, 그리고 지난 17일 일본에서 진행된 바 있다. 

디일렉=이민조 기자 [email protected]
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