"내년 상반기 중으로 D램 재고 수준 정상화된다"
"내년 HBM3, HBM3E CAPA 기준으로 솔드아웃"
"키옥시아-WDC 합병은 투자가치 고려해 반대"
SK하이닉스가 고부가 D램 판매 확대에 힘입어 전분기(2조 8821억원) 대비 영업손실을 1조원 이상 줄이는데 성공했다. SK하이닉스의 올 3분기 영업손실은 1조7920억원이다. SK하이닉스는 내년에도 고부가 제품 D램을 중심으로 실적 개선을 지속하겠다는 계획이다. 이를 위해 내년 시설투자(CAPEX)를 고대역폭메모리(HBM), DDR5 등 고부가 제품에 집중한다.
SK하이닉스는 26일 공시를 통해 지난 3분기 연결 기준으로 매출 9조661억원, 영업손실 1조7920억원을 기록했다고 밝혔다. 전분기대비 매출은 24% 증가했고, 영업손실은 38% 감소했다. 전년동기대비로는 매출이 17% 줄었고, 영업이익은 적자전환했다.
제품별로 보면, D램은 전체 매출의 67%를 차지했다. 낸드는 27%다. 올 3분기 D램은 DDR5와 HBM, 고용량 모바일 제품 등 프리미엄 제품의 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘었다. 평균판매가격(ASP)는 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 솔리드스테이트드라이브(SSD) 중심으로 출하량이 한 자릿 수 중반 증가했다. ASP는 전분기대비 소폭 하락했다.
SK하이닉스는 D램 업황에 대해 "하반기 들어 수요가 늘고 있고, 감산 효과도 늘어나는 만큼 연말에는 재고가 줄어들 것"이라며 "내년 상반기 중으로 D램 재고 수준이 정상화될 것"이라고 전망했다.
회사는 낸드에 대해서는 "낸드는 D램 대비 재고 수준이 높고, 인공지능(AI) 수요 영향도 제한적인 만큼 D램 대비 업황 회복에 시간이 더 소요될 것으로 예상하고 있다"며 "내년에도 보수적인 낸드 생산 기조를 유지할 것"이라고 설명했다.
이런 흐름에 맞춰 SK하이닉스는 내년에도 보수적인 투자를 집행한다. 회사는 "회사는 내년 시설투자(CAPEX)는 올해보다 증가하지만, 투자 효율성과 재무 건전성을 고려해 증가분을 최소하겠다"고 전했다.
구체적으로 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 D램 주력 제품에 대한 투자를 집중한다. 이를 통해 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하고, HBM과 실리콘관통전극(TSV)에 대한 투자를 확대한다는 계획이다. 엔비디아 등 고객사는 선수금을 지원해 SK하이닉스의 투자를 지원하고 있기도 하다.
내년 상반기 출하 예정인 HBM3E에 대해서는 "업계 선두의 HBM 개발 역량과 생산 능력을 바탕으로 내년 HBM3E 공급을 차질없이 진행하겠다"며 "현시점에서 내년 HBM3와 HBM3E CAPA를 볼 때 이미 솔드아웃됐다고 말할 수 있다"고 설명했다. 이어 "고객들의 추가 수요 문의도 들어오고 있어 수요 기반 관점에서 보면 확실한 가시성을 가지고 있다"고 덧붙였다.
한편, 이날 컨퍼런스콜에서 SK하이닉스는 키옥시아와 웨스턴디지털간 합병에 대해서도 언급했다. SK하이닉스는 "이번 딜로 인해 키옥시아에 투자한 투자자산에 미치는 영향을 종합적으로 고려해 해당 건에 대해 동의하지 않고 있다"며 "구체적인 사유와 관련된 합병 진행 과정에 대한 내용은 베인과의 비밀 유지 계약에 의해 언급할 수 없다"고 말했다. 이어 "한 가지 분명한 것은 주주는 물론이고, 투자자산인 키옥시아를 포함해 모든 이해관계자를 위한 선택을 할 것이다"라고 부연했다.
디일렉=노태민 기자 [email protected]
《반도체·디스플레이·배터리·자동차전장·ICT부품 분야 전문미디어 디일렉》
