머크퍼포먼스머티리얼즈(옛 버슘머티리얼즈)가 일본 트리케미칼래버토리(TCLC)를 상대로 한 하프늄(Hf) 프리커서(Precursor) 전구체 특허 무효화 공격을 이어가기로 했다.  특허심판원이 TCLC의 하프늄(Hf) 전구체 특허가 유효하다는 판단을 내리자 최근 이에 불복해 2심격인 특허 법원에 심결취소 소송을 낸 것으로 7일 확인됐다. 2심에 이어 최종심 결과가 나오기까지는 상당한 시간이 남아있지만, 최종 판결결과에 따라서는 하프늄 프리커서 시장에 지각 변동이 예상된다. 일본 TCLC의 특허실시권을 보유 중인 SK트리켐 사업에도 영향을 미칠 지 주목된다.  이와 관련, 특허심판원은 지난 7월 말 Hf 프리커서 특허가 무효가 아니라고 판단했다. 통상 심결취소 소송 기간이 9~12개월 걸린다는 점을 감안할 때, 이르면 내년 중반기에는 결과가 나올 것으로 전망된다.  머크는 특허 무효 공격 전장을 중국까지 넓히는 안을 확정하고 시기를 조율하는 것으로 전해졌다. 특허가 무효화됐을 시 국내 뿐 아니라 중국 우시 SK하이닉스 D램 공장에도 재료를 공급하기 위한 공격 전략으로 풀이된다. D램 업계 이슈의 중심인 이 재료는 고유전율(하이K) 프리커서 혹은 전구체(前驅體)로 불린다. 프리커서나 전구체라는 용어는 화학 반응으로 특정 물질이 되기 전 단계의 용매 형태 물질을 의미한다. D램용 하이K 프리커서는 커패시터 위에 원자층 단위로 얇게 증착된다. D램은 커패시터 전하 저장 유무로 0과 1을 판별한다. 선폭이 좁아질수록 커패시터 간 간섭 문제를 해결하기 위해 유전율이 높은 하이K 물질을 증착해야 한다. 이전까지는 지르코늄(Zr)계 하이K 물질을 썼으나 현재 상용화돼 있는 선단 공정 D램은 Zr과 Hf를 섞어서 쓴다. Hf 프리커서는 SK와 일본 TCLC 합작사인 SK트리켐이 특허 실시권을 보유하고 있다. 이 공정 명칭인 HAC는 일본 TCLC가 독점 보유하고 있는 특허다. 이처럼 핵심 특허 실시권을 SK트리켐이 보유하고 있으니 타 기업이 SK하이닉스와 Hf 프리커서 직거래가 불가능한 것이 현 상황이다. SK트리켐의 지난해 매출 2200억원 가운데 약 1500억원이 Hf 프리커서를 SK하이닉스에 판매해서 나온 것이다. 삼성전자의 경우 일본 아데카를 통해 Hf 프리커서를 조달한다. SK트리켐 특허 공격 시도에 대한 잠재 우려에도 불구 '공격하면 언제든 무효화할 수 있다'는 내부 기류가 형성돼 있던 것으로 전해진다. 이런 가운데 머크의 특허무효 공격과 이어진 '특허 유효' 판단으로 내부적으로는 방비책 마련에 분주한 것으로 알려졌다.  업계 관계자는 "삼성 입장에선 머크가 잔잔한 호수에 돌을 던진 것으로 인식할 수 있다"면서 "머크는 도의적 차원에서라도 특허 무효 공격을 계속할 수밖에 없을 것"이라고 말했다.  디일렉=한주엽 기자 [email protected]

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