SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 수요 확대에 대비해 5세대(1b) 10나노급 D램 증설에 본격 나서고 있다. 올 연말까지 월 9만장까지 생산능력을 확대하겠다는 계획을 세웠다. 이는 지난 해 연말 계획(7만장)과 대비 2만장이나 늘어난 수치다. 업계에서는 HBM 수요 강세가 지속되고 있는 만큼, 증설량이 추가로 확대될 수 있다는 추정도 내놓고 있다.  14일 업계에 따르면 SK하이닉스는 5세대 1b D램 증설을 진행 중이다. 이를 위해 여러 장비사에 발주를 내고 있는 것으로 확인됐다. 이 같은 움직임은 HBM과 DDR5 D램 수요 증가에 따른 투자로 해석된다. 이번 투자를 통해 SK하이닉스의 1b D램 생산용량은 지난 1분기 웨이퍼 투입기준 월 1만장 수준에서 연말 기준 월 9만장까지 늘어날 것으로 예상된다. SK하이닉스는 내년 상반기까지 1b D램 생산량을 14만~15만장까지 늘리겠다는 목표도 갖고 있다.  이번 1b D램 증설은 경기도 이천 M16 팹에서 진행된다. 1y D램을 생산하던 라인을 1b D램 생산으로 전환하는 것으로 전해졌다. 1y D램 생산용량은 현재 약 월 12만장 규모다. 1b용으로 전용하면 2025년 상반기께 1y D램 생산량은 월 5만장 수준으로 줄어든다. 반도체 장비 업계 관계자는 M16 증설 투자에 대해 "고객사(SK하이닉스)가 설비 이동, 장비 개조 등을 요청했었다"며 "1b 생산에 추가로 필요한 공정 장비만 도입하는 것"이라고 했다. 그는 "증착, 포토, 식각 장비 등 핵심 장비 위주로 추가 반입하는 것으로 안다"고 했다. 1b D램은 HBM3E 코어 다이로 활용된다. SK하이닉스가 올해 HBM3E 생산을 늘리고 있는 만큼, 1b D램 증설도 동일하게 이뤄지는 것이다. 장비 업계에선 SK하이닉스가 투자 계획을 보다 더 확대할 수 있다는 긍정 관측도 내놓고 있다. 한 관계자는 "SK하이닉스 영업에서 100을 요청하면 생산이나 투자 부문은 70~80% 수준만 들어주는 상황"이라면서 "지난 다운턴 때 요청대로 생산하고 투자하는 바람에 큰 어려움을 겪은 바 있어 굉장히 경계하며 투자나 생산 계획을 짜고 있는 것 같다"고 설명했다. 또 다른 업계 관계자는 "당초 알려왔던 예상치보다 장비 발주량이 늘어나고 있다"고 귀띔했다. 한편 SK하이닉스는 지난 4월 충청북도 청수시 M15X를 차세대 D램 생산 기지로 결정하고, 현재 공사를 진행 중이다. 내년 11월께 준공 예정인 만큼, M15X에 들어가는 장비는 내년 초부터 발주가 시작될 것으로 예상된다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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