램리서치가 3세대 극저온 유전체 식각 장비 램 크라이오(Lam Cryo) 3.0을 출시했다고 1일 밝혔다. 

신제품의 가장 큰 특징은 극저온 환경에서 낸드 채널홀 식각이 가능하다는 점이다. 회사는 고출력 파워, 플라즈마 리액터, 공정 개선 등을 통해 채널홀 구조의 임계치수 편차를 0.1% 미만으로 유지하며, 최대 10마이크론(µm) 깊이로 식각할 수 있다고 설명했다.

기존 장비와 비교해 에너지 소비, 탄소 배출량도 대폭 감소했다. 램리서치는 신규 장비를 통해 식각 공정을 진행하면 웨이퍼당 에너지 소비를 40% 절감할 수 있다고 강조했다. 또, 신규 식각 가스 사용을 통해 탄소 배출량도 최대 90% 줄일 수 있다.

세샤 바라다라잔 램리서치 글로벌 제품 사업부 수석 부사장은 크라이오 3.0 장비에 대해 "환경 영향을 줄이면서 기존 유전체 공정 대비 2.5배의 식각률을 달성했고, 옹스트롬(angstrom) 수준의 정밀도로 고종횡비 피처를 일정하게 구현할 수 있다"고 소개했다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
《반도체·디스플레이·배터리·전장·ICT·게임·콘텐츠 전문미디어 디일렉》

노태민 기자 다른기사 보기