시장조사업체 유비리서치가 삼성디스플레이의 QNED(quantum dot nanorod LED) 특허를 분석한 'QNED 구조와 제조 기술 분석 보고서'를 출간했다. 유비리서치는 삼성디스플레이 특허(등록 및 공개) 41건 중 QNED 제조에 사용이 유력한 완성도 높은 기술을 정성 분석해 보고서를 작성했다고 설명했다. 보고서에 따르면 QNED 구조는 박막트랜지스터(TFT)와 화소, 양자점(QD)-컬러필터(CF)로 형성돼 있다. TFT 구조는 모두 2Tr(트랜지스터)로 묘사돼 있으나 전류 구동용 TFT는 최소 3개가 필요하기 때문에 3Tr1C 구조로 추정된다. 화소는 나노로드(nanorod) 발광다이오드(LED)와 전극, 나노로드 LED에서 방출되는 빛을 효율적으로 사용하기 위한 광학 구조로 구성된다. 보고서는 화소의 전극 구조를 이제껏 알려진 직사각형이 아니라 원형으로 추정했다. 일부 특허에서 원형 전극에 비대칭 파형을 인가하면 나노로드 LED 배열 방향성이 우수해져서 정렬 특성이 좋아진다. 나노로드 LED 정렬 전극과 구동은 같은 전극을 사용한다. QNED 제조에 사용되는 나노로드 LED는 갈륨나이트라이드(GaN)로 제작돼 청색광을 내는 LED다. 크기는 '1umx10um' 미만이다. 나노로드 LED 정렬 효과를 높이고 공정 불량을 줄이기 위해 나노로드 LED 표면은 절연막과 소자 배향기로 처리돼 있다고 보고서는 추정했다.