ST마이크로일렉트로닉스(ST)가 실리콘(Si) 기술에 기반한 하프-브리지 드라이버와 2개의 질화갈륨(GaN) 트랜지스터를 내장한 '마스터GaN1 플랫폼'을 26일 발표했다.  현재 GaN 시장은 일반적으로 디스크리트 전력 트랜지스터와 드라이버 IC가 구분돼 사용되고 있다. 마스터GaN1 플랫폼은 ST 집적화 제품을 활용해 드라이버 IC와 2개의 GaN 트랜지스터를 통합했다. 일반 실리콘 기반 솔루션에 비해 충전기와 어댑터의 크기를 80%, 무게는 70%까지 줄였다. 패드 간의 연면거리가 2mm 이상인 고전압 애플리케이션에 적합하도록 설계됐다.  내장된 트랜지스터는 10암페어(A) 최대 전류, 150메가옴(mΩ)의 온저항(RDS(ON))을 제공한다. 로직 입력은 3.3볼트(V)~15V의 신호와 호환된다. 로우-사이드, 하이-사이드 UVLO 보호 기능과 인터로킹, 전용 셧다운 핀, 과열 방지 등 다양한 보호 기능이 내장돼 있다.  이 플랫폼은 최대 400와트(W) 컨슈머 또는 산업용 애플리케이션을 지원한다. 스마트폰의 초고속 충전기, 무선 충전기, PC 및 게임기용 USB-PD 소형 어댑터 컨슈머 제품에 사용된다. 태양광 에너지 저장 시스템이나 무정전 전원공급장치(UPS), 유기발광다이오드(OLED) TV, 서버 클라우드와 같은 산업용 분야에도 활용될 수 있다. 마스터GaN1은 높이가 1mm에 9mmx9mm GQFN 패키지로 양산 중이다. 가격은 1000개 주문 시 개당 7달러로 공급된다. 평가보드도 판매 중이다.