ACM리서치는 실리콘카바이드(SiC) 질화갈륨(GaN) 및 갈륨비소(GaAs)를 지원할 수 있는 화합물 반도체용 웨이퍼 레벨 패키징(웨이퍼 상에서 다수의 다이를 동시에 패키징하는 기술) 제품인 'Ultra ECP GIII' 전기도금 장비를 14일 출시했다.
이 장비는 후면 딥 홀 공정에서 개선된 균일성과 단차피복성(반도체 패턴의 밑면과 벽면 위치에 따라 박막의 두께가 달라지는 정도)으로 도금할 수 있는 게 특징이다.
또한 6인치 플랫 에지 및 노치 웨이퍼의 대용량 처리를 지원하는 완전 자동화 플랫폼을 갖췄다. ACM의 2차 양극 공급 장치 기술과 고속 그리드 기술을 적용해 개발했다.
ACM의 Ultra ECP GIII 장비는 2차 양극 공급장치와 고속 그리드 기술의 두 가지 핵심 기술을 활용한다. 먼저 2차 양극 공급장치는 전기장 분포차이로 인해 발생하는 문제를 극복하기 위해 웨이퍼 레벨 패키징 기능을 효과적으로 조정함으로써 우수한 균일도 제어 능력을 제공한다. 또한 이 기술은 웨이퍼 에지 영역과 노치 영역의 패턴을 최적화하고 3% 이내의 도금 균일도를 달성하는 데 활용할 수 있다.
ACM의 고속 그리드 기술은 더욱 강력한 믹싱 효과를 얻을 수 있으며 대량 전송 능력을 향상시켜 딥 홀 공정에서 단차피복성을 개선시킬 수 있다. 개선된 단차피복성은 금 필름의 두께를 감소시켜 고객의 비용을 절감할 수 있다.
ACM의 Ultra ECP GIII는 중국 화합물 반도체 제조업체로부터 2건의 수주를 받았다.
1차 주문 장비는 2차 양극 기술을 활용해 구리-니켈-주석-은으로 구성된 도금 모듈을 웨이퍼 레벨 패키징에 적용한 후 진공 습식 전처리 챔버와 세정 후 챔버에 일체화해 고객사에 납품했다. 2차 주문 장비는 금 도금을 위한 것으로 9월 말 고객에게 최종 공급될 예정이다.
