SK실트론이 차세대 전력반도체 소재인 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 생산능력(CAPA)을 올 하반기 월 12만장 수준까지 끌어올린다. 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가하고 있는 SiC 반도체 시장을 선점하기 위한 전략으로, SK실트론은 향후에도 생산능력을 지속 확대할 계획이다. 22일 업계에 따르면 SK실트론은 내달 중 미국 미시간주 베이시티 신규 공장을 완공하고 SiC 웨이퍼 생산능력을 대폭 확대할 예정이다. 앞서 SK실트론은 지난 2020년 미국 미시간주에 오번 위치한 듀폰의 SiC 웨이퍼 사업부를 인수하고 자회사 실트론 CSS를 설립했다. 이후 인근 지역인 베이시티에 그로잉(Growing) 공정을 담당하는 2공장 신설을 추진해왔다. 그로잉은 웨이퍼 제조공정 중 첫 번째 단계다. 웨이퍼의 원료인 폴리실리콘을 고온으로 녹여 원기둥 모양의 잉곳으로 성장시키는 공정이다. 해당 신규공장은 다음달 완공 예정이다. 이를 통해 SK실트론은 올 하반기 150mm(6인치) SiC 웨이퍼 생산능력을 국내 구미, 미국 공장을 합해 연 12만장 수준으로 끌어올릴 수 있을 것으로 관측된다. 기존 대비 3배 많은 규모다. SK실트론은 또한 150mm SiC 웨이퍼에 대한 2단계 증설투자도 진행 중이다. 2단계 증설이 마무리되면 SK실트론의 생산능력은 오는 2025년 연 50만장으로 늘어날 전망이다. 150mm SiC 웨이퍼의 본격적인 상용화 시기는 오는 11월을 목표로 하고 있다. 현재 SK실트론은 주요 고객사와 PCN(고객사로부터 제품생산 승인을 받기 위해 진행하는 샘플 테스트)를 진행하고 있는 것으로 알려졌다. SK실트론이 SiC 웨이퍼 생산능력 확대에 적극 투자하는 이유는 시장의 유망성 때문이다. SiC는 기존 웨이퍼 소재로 활용되던 Si(실리콘) 대비 전력 변환효율과 고온·고전압에서의 내구성이 뛰어나다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트는 SiC 전력반도체 시장 규모가 2021년 10.9억 달러에서 오는 2027년 62.97억 달러로 성장할 것으로 내다봤다. 한편 SK실트론은 150mm보다 높은 생산성을 갖춘 200mm(8인치) SiC 웨이퍼 사업도 준비하고 있다. 대형 전력반도체 고객사와의 기술 협업을 통해, 오는 2023년 말 양산을 목표로 제품 개발을 추진 중이다.