인텔이 인텔4(7nm급) 양산에 자신감을 내비쳤다. 인텔4는 인텔 공정 중 극자외선(EUV)이 적용된 첫 사례다. 리버스엔지니어링 전문회사 IC놀리지는 인텔4 공정 제품 성능이 TSMC 5nm 공정보다 우수하고, 3nm 공정과 유사하다고 분석했다.  윌리엄 그림 인텔 로직 기술 및 개발 제품 엔지니어링 디렉터(부사장)은 22일(현지시간) 말레이시아 페낭에서 진행된 그룹인터뷰에서 "EUV를 통해 프로세스 복잡성을 통제할 수 있게 됐다"며 "예상보다 높은 수율을 확보하는데 성공했다"고 말했다.  인텔4는 인텔 공정 중 EUV가 적용되는 첫 사례다. 오는 9월 공개를 앞둔 메테오레이크 CPU 타일이 인텔4를 통해 생산 중인 제품이다. 업계에서는 경쟁사 대비 늦은 EUV 도입으로 수율 등 이슈가 있을 것으로 추정했다.  윌리엄 그림 부사장은 경쟁 파운드리와의 성능 비교에 대해서는 "외부에서 수행한 벤치마크를 참고해 자체 PPA를 수행했다"라며 인텔4와 다른 파운드리의 기존 노드와 비교는 어렵다"고 밝혔다.  다만 인텔로부터 리버스엔지니어링 자료를 공유 받을 수 있었다. 리버스엔지니어링 기업 IC놀리지에 따르면 인텔 4 공정은 삼성전자 3nm, TSMC 3nm와 유사한 성능을 낸다. 트랜지스터 집적도가 타사 3nm 공정 대비 높다는 것이다. 인텔은 이전부터 공정명이 반도체의 실제 트랜지스터 길이와 동일하지 않다고 비판해오기도 했다.  윌리엄 그림 부사장은 이번 인텔4 노드가 특히 전력 효율성에 집중한 공정이라고 소개했다. 그는 "인텔7 공정이 성능 극대화에 집중한 공정이라면, 이번 인텔4는 전력 효율성을 높이기 위해 힘을 쏟았다"며 "노트북 등 애플리케이션에 적합하다"고 설명했다. 마지막으로 그는 "(EUV 생산 역량이) 시장 수요를 충족할만큼 확보됐다"며 "인텔 3 등 향후 몇 년 간의 계획도 수립됐다"고 말했다. 인텔3는 올 하반기 공개 예정인 4nm 공정이다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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