SK하이닉스는 코어다이 1b와 1c 저울질 중
삼성전자가 올해 말 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 테이프아웃(Tape-out) 작업에 들어가는 것으로 16일 확인됐다. 내년 말 HBM4 12단 제품 양산을 위한 사전 작업이다.
테이프아웃은 반도체 설계 마지막 단계다. 설계 도면을 반도체 파운드리에 전달하는 것을 의미한다. 포토마스크도 함께 만들기 때문에 마스크 테이프아웃(MTO)라고도 부른다. HBM4 테스트 제품은 이르면 내년 초에 나올 것으로 예상된다. 테이프아웃 이후 최종 테스트 제품이 나오는 데 3~4달이 걸린다. 삼성전자는 초도 생산된 HBM4 제품의 동작 검증 이후 설계 개선과 공정 개선을 이뤄나갈 것으로 전해졌다. 이후 주요 고객사 대상으로 제품 샘플링을 진행할 것으로 보인다. 삼성전자 관계자는 "제품 로드맵과 관련 일정에 대해 답변하기 힘들다"며 즉답을 피했다.
SK하이닉스도 내년 하반기 HBM4 12단 제품 양산을 목표하고 있다.
양사 모두 HBM4부터는 로직 다이를 D램 공정이 아닌, 파운드리 공정으로 생산한다. 삼성전자는 자사 4나노 파운드리 공정을, SK하이닉스는 TSMC 5나노와 12나노 공정을 활용해 로직 다이를 양산할 계획인 것으로 알려졌다. 메모리 코어 다이의 경우 삼성전자는 10나노 6세대(1c) D램을 활용하는 것으로 확정했지만, SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) D램과 1c D램 사이에서 저울질하고 있다.
SK하이닉스에서 HBM 개발을 담당하는 핵심 현업 관계자는 "당초 내부에서는 HBM4 코어 다이로 1b D램을 사용하는 것으로 확정했다"며 "삼성전자가 HBM4에 1c D램을 활용한다는 소식을 전해듣고, (SK하이닉스) 내부에서도 1b D램을 쓸지, 1c D램을 쓸지 고민 중"이라고 설명했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM3E까지 각각 1a D램과 1b D램을 사용했다.
삼성전자가 HBM4 코어 다이로 1c D램을 사용하는 만큼, 관련 투자도 뒤따를 것으로 예상된다. 평택 P4 공장에 관련 장비가 들어설 것으로 보인다. SK하이닉스는 HBM4 코어 다이를 무엇으로 할 건지에 따라 1c D램 투자 규모가 결정될 예정이다. 다만 업계에서는 SK하이닉스가 최근 M16에 1b D램 마이그레이션을 진행하고 있는 만큼, HBM4에 1b D램을 코어 다이로 활용할 것으로 내다보고 있다.
양사가 HBM4는 엔비디아와 AMD의 차차세대 인공지능(AI) 가속기에 탑재될 예정이다. 엔비디아와 AMD는 오는 2026년 HBM4를 탑재하는 AI 가속기 루빈과 MI400 출시를 계획하고 있다.
디일렉=노태민 기자 [email protected]
