삼성전자가 최선단 파운드리 기술 리더십 확보를 위해 오는 2025년 2나노, 2027년 1.7나노 공정 양산에 나선다. 또한 클린룸을 먼저 건설한 뒤 탄력적 설비투자를 진행하는 '쉘 퍼스트' 전략으로 선단 공정 생산능력을 2027년까지 올해 대비 3배 이상 확대할 계획이다. 3일(현지시간) 삼성전자는 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2022(Samsung Foundry Forum 2022)'를 열고 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다. 3년만에 오프라인으로 개최된 올해 삼성 파운드리 포럼에는 팹리스 고객·협력사·파트너 등 500여 명이 참석한 가운데 진행됐다. 삼성전자는 "파운드리 기술 혁신, 응용처별 최적 공정 제공, 고객 맞춤형 서비스, 안정적인 생산 능력 확보 등을 앞세워 파운드리 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다"고 밝혔다. 삼성전자는 2015년 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 양산하고, 지난 6월 GAA(Gate All Around) 트랜지스터 기술을 적용한 3나노 1세대 공정 양산을 세계 최초로 시작한 바 있다. 2025년에는 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획이다. 공정 혁신과 동시에 2.5D/3D 이종 집적(Heterogeneous Integration) 패키징 기술 개발도 가속화한다. 특히 3나노 GAA 기술에 삼성 독자의 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용하는 한편, 3D IC 솔루션을 비롯한 고성능 반도체 파운드리 서비스를 제공할 예정이다. 또한 삼성전자는 u-Bump(micro Bump)형 X-Cube를 2024년에 양산하고, 2026년에는 Bump-less형 X-Cube를 선보일 계획이다. u-Bump는 일반 범프 대비 더 많은 I/O를 패키징에 넣을 수 있어 더 많은 데이터 처리가 가능하며, Bump-less는 패키징에서 범프를 없애고 더 많은 I/O를 삽입이 가능해 데이터의 처리 양을 u-Bump 보다 더 많게 구현할 수 있다. 사업 전략 면에서는 HPC(High Performance Computing), 오토모티브(차량용 반도체), 5G, IoT 등 고성능 저전력 반도체 시장을 적극 공략해, 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워 갈 계획이다. 삼성전자는 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 기반의 HPC 제품을 양산한데 이어, 4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대한다. eNVM(embedded Non-Volatile Memory)과 RF도 다양한 공정을 개발해 고객 니즈에 맞춘 파운드리 서비스를 제공한다. 삼성전자는 현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션을 2024년 14나노로 확대하고, 향후 8나노 eNVM 솔루션을 위한 기술도 개발 중이다. RF 공정 서비스도 확대한다. 삼성전자는 현재 양산 중인 14나노 RF 공정에 이어 세계 최초로 8나노 RF 제품 양산에 성공했으며, 5나노 RF 공정도 개발 중이다. 또한 삼성전자는 2027년까지 선단 공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 확대해 고객 니즈에 적극 대응할 계획이다. 삼성전자는 평택, 화성과 미국 테일러에서 선단 공정 파운드리 제조 라인을 운영하고, 화성, 기흥과 미국 오스틴에서는 성숙 공정을 양산하고 있다. 특히 삼전자는 앞으로 '쉘 퍼스트(Shell First)' 라인 운영으로 시장 수요에 신속하고 탄력적으로 대응할 예정이다. '쉘 퍼스트'는 클린룸을 선제적으로 건설하고, 향후 시장 수요와 연계한 탄력적인 설비 투자로 안정적인 생산 능력을 확보해 고객 수요에 적극 대응한다는 의미다. 삼성전자는 미국 테일러 파운드리 1라인에 이어 투자할 2라인을 '쉘 퍼스트'에 따라 진행할 계획이며, 향후 국내외 글로벌 라인 확대 가능성도 밝혔다.