2028년까지 20조원 투자해 첨단 연구단지 조성 계획
"이병철 선대회장 뜻 이어 초격차 기술력 확보" 당부
이재용 삼성전자 부회장이 사면 복권 이후 첫 대외 경영행보에 나섰다. 첫 현장방문은 경기도 기흥에서 열린 차세대 반도체 R&D 단지 기공식이었다. 이 부회장은 오는 2028년까지 20조원을 투자해 글로벌 반도체 시장을 선도할 '초격차 기술력'을 이어가야 한다고 강조했다.
삼성전자는 19일 경기도 용인 삼성전자 기흥캠퍼스에서 차세대 반도체 R&D단지 기공식을 열었다. 이 단지는 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 미래 반도체 기술 선점을 위해 만드는 첨단 연구단지다. 삼성전자는 2028년까지 약 20조원을 투자할 예정이다.
기공식에는 이재용 부회장과 경계현 DS부문장, 정은승 DS부문 CTO, 진교영 삼성종합기술원장, 이정배 메모리사업부장, 최시영 파운드리사업부장, 박용인 시스템LSI사업부장 등 임직원 100여명이 참석했다.
이 부회장은 이날 '반도체 산업은 시장성이 클 뿐만 아니라 다은 산업에 파급효과가 큰 고부가가치 산업'이란 이병철 선대회장의 말씀을 되새켜, 글로벌 시장을 선도할 수 있는 '초격차' 기술력을 확보할 것을 당부했다.
그는 기공식에서 "40년 전 반도체 공장을 짓기 위해 첫 삽을 뜬 기흥사업장에서 새로운 도전을 시작한다. 차세대뿐만 아니라 차차세대 제품에 대한 과감한 R&D 투자가 없었다면 오늘의 삼성 반도체는 존재하지 못했을 것"이라며 "기술 중시, 선행 투자의 전통을 이어 나가자. 세상에 없는 기술로 미래를 만들자"고 강조했다.
기흥캠퍼스는 1983년 삼성의 반도체 사업이 태동한 곳이다. 1992년 세계 최초 64M D램 개발, 1992년 D램 시장 1위 달성, 1993년 메모리반도체 분야 1위 달성 등 삼성전자 반도체 초격차의 초석을 다진 곳이기도 하다.
삼성전자가 기흥에 새로 건설하는 반도체 R&D 단지는 미래 반도체 기술을 선점하기 위한 최첨단 복합 연구개발 시설로 조성된다. 메모리, 팹리스 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 R&D 분야의 핵심 연구기지 역할을 맡게 될 전망이다.
단지는 약 10만9000㎡(3만3000여 평) 규모로 건설되며, 삼성전자는 2025년 중순 가동 예정인 반도체 R&D 전용 라인을 포함해 2028년까지 연구단지 조성에 약 20조원을 투자할 계획이다. 또한 삼성전자는 기흥 R&D 단지 건설을 통해 국내외 소재/장비/부품 분야 협력회사들과의 R&D 협력 강화에 나선다.
이 부회장은 기공식 이후 화성캠퍼스를 방문해 임직원들과의 간담회 및 DS부문 사장단 회의를 가졌다. 이 부회장은 직원들의 건의사항 등을 경청하고, 도전과 혁신을 촉진하기 위한 조직문화 개선 방안 등 다양한 의견을 교환했다.
반도체연구소에서 열린 DS부문 사장단 회의에서는 글로벌 반도체 산업을 둘러싼 주요 현안 및 리스크, 차세대 반도체 기술 연구개발 진척 현황, 초격차 달성을 위한 기술력 확보 방안 등을 논의했다.
