[알림] 차세대 리소&패터닝 테크 콘퍼런스, '내일'(12일) 열립니다

「어드밴스드 리소그래피 & 패터닝 콘퍼런스 2023」
디일렉 주최, 포스코타워 역삼 3F서 12일 개최

전자부품 전문미디어 《디일렉》이 주최하는 「어드밴스드 리소그래피&패터닝 테크 콘퍼런스 2023」이 내일(12일) 열립니다. 올해로 4회째를 맞는 이번 콘퍼런스는 2024년 이후 본격화할 반도체 미세화 기술의 흐름을 짚어보는 자리입니다.

특히 내년은 반도체 업계를 강타한 불황의 먹구름이 서서히 걷히기 시작하는 터닝 포인트입니다. 국내 주력 산업인 D램을 시작으로 낸드플래시 업황이 내년에 개선될 것이란 기대감이 높아지는 추세입니다. 다가오는 '업턴'의 시기, 트랜지스터 집적도를 높이는 '미세화' 경쟁은 다시 불붙을 전망입니다. 이같은 미세화 경쟁의 열쇠는 리소그래피(lithography)가 쥐고 있습니다. 리소그래피는 실리콘 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 과정 전반을 일컫습니다. 리소그래피 분야에서 핵심은 바로 포토 혹은 노광(露光, exposure)이라 불리는 공정입니다.

웨이퍼 위에 보다 미세한 회로 패턴을 형성하려면 노광 장비의 해상력(解像力, resolution)이 높아져야 합니다. '얼마나 미세하게 회로 패턴을 형성할 수 있는가'를 두고, 지금도 노광장비와 해상력 보강기술 개발이 끊임없이 진행되고 있습니다. 대표적인 게 ASML의 극자외선(EUV:Extreme Ultra Violet) 기술입니다. 반도체 공정에서 사용하는 EUV는 13.5나노미터 파장을 가지도록 고안됐고, 오직 ASML만이 이 장비를 생산할 수 있습니다. 독점의 지위를 굳건히 확보한 것입니다. 초기의 EUV 장비에 이어 고해상력의 하이NA(0.55) EUV 장비 도입도 속속 이뤄지고 있습니다. 하이NA라는 축과 더불어 다양한 요소 기술들도 조명해봐야 합니다. 대체 패터닝 기술로 나노임프린트(NIL)가 최근에 다시 주목받는 이유, 십여년 전에 각광받을 것으로 기대됐으나 빛을 보지 못했던 DSA(Directed Self-Assembly) 기술이 다시 조명받는 이유 등입니다. 아울러 높은 해상력을 구현하기 위한 본질 재료 진화도 주목해야 합니다. 유기(organic) 포토레지스트(PR)가 아닌 무기(無機, inorganic) PR를 도입하는 움직임입니다. 일본 JSR에 인수된 인프리아, 램리서치 등이 재료 분야 혁신을 주도하고 있습니다. 미세화에 의한 반도체 발전은 끊임없이 이뤄지고 있습니다. 전공정 리소 및 패터닝 공정 분야에서 길이 막힐 것처럼 보이자 업계에선 첨단 패키징 방식으로 눈을 돌리고 있습니다. 그러나 전공정, 그 중에서도 노광 분야는 여전히 중요하고 또한 발전에 발전을 거듭하고 있습니다. 디일렉은 12일 차세대 리소 및 패터닝 공정 관련 분석과 전망을 들어볼 수 있는 자리를 마련했습니다. 관련 산업계 및 독자 여러분의 많은 관심 부탁드립니다.

《반도체·디스플레이·배터리·자동차전장·ICT부품 분야 전문미디어 디일렉》

◆ 행사 개요

행사명 : 초미세 패터닝 기술로 한계 돌파! 디일렉 「어드밴스드 리소그래피 & 패터닝 테크 콘퍼런스 2023」 일시 : 2023년 12월 12일 (화) 10시 ~ 17시

장소 : 역삼동 포스코타워 3층 이벤트홀 (역삼역 3번 출구 도보 3분)

주최/주관 : 디일렉 / 와이일렉 / 한양대학교 EUV-IUCC / 한양대학교 LINC3.0사업단 / 한국반도체연구조합 참가비용 : 440,000원 (VAT 포함) 등록마감 : 12월11일(월) 18시 사전등록 마감 시 행사 당일 현장등록 불가

◆ 세부 프로그램

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