삼성전자가 '9세대 V낸드' 양산에도 더블 스택 구조를 적용한다. 9세대 낸드에 트리플 스택 구조를 적용하는 경쟁사와 비교해 생산 비용 절감이 가능할 것으로 보인다. 삼성전자가 업계 최초로 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드 양산에 시작했다고 23일 밝혔다.  삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 9세대 V낸드의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다고 설명했다. 이를 위해 더미 채널홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 발생하는 간섭 현상을 제어하기 위한 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다고 덧붙였다.  삼성전자 9세대 V낸드의 가장 큰 특징은 더블 스택 구조를 구현했다는 점이다. SK하이닉스 등 기업은 9세대 제품에 트리플 스택 적용을 계획하고 있는 만큼, 양산에서 비용 우위를 가져갈 수 있을 것으로 보인다. 삼성전자 9세대 V낸드의 단수는 280단대 후반인 것으로 알려졌다. 이외에도 9세대 제품에는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 Toggle 5.1, 저전력 설계 기술이 적용돼 이전 세대 제품대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도와 10% 개선된 소비 전력 등을 구현했다고 회사 측은 설명했다. 허성회 삼성전자 메모라서업부 Flash개발실장(부사장)은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량∙고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했다. 한편, 삼성전자는 올 하반기 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정이다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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