삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력을 강화하기 위해 차세대 HBM 개발 조직을 이원화했다. 내년 양산 예정인 HBM4는 HBM 개발팀이 전담한다. HBM3E는 기존 HBM 개발을 담당하던 D램 설계팀이 담당한다. 삼성전자는 이같은 전략을 통해 경쟁사 대비 빠르게 차세대 HBM 개발을 진행하겠다는 계획이다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 3월 신설한 HBM 개발팀을 통해 6세대 HBM인 HBM4 개발에 집중하고 있다. 삼성전자는 지난 1월 개최된 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 HBM4의 경우, 내년 샘플링을 시작하고, 2026년 양산을 시작할 계획이라고 밝힌 바 있다. 다만, 주요 경쟁사인 SK하이닉스가 전일 HBM4 12단 제품을 내년 하반기부터 양산에 돌입하겠다는 로드맵을 내놓은 만큼, 삼성전자의 HBM4 양산 시기도 예정보다 빨라질 수 있다는 관측도 나오고 있다. 삼성전자 사안에 밝은 한 관계자는 "최근 신설된 HBM 개발팀의 경우, HBM4 위주로 개발을 진행하고 있다"며 "HBM3E는 기존에 HBM 개발을 맡아왔던 D램 설계팀이 전담해 개발 및 양산에 힘쓰고 있다"고 말했다. HBM개발팀은 삼성전자가 지난 3월 HBM 경쟁력 제고를 위해 신설한 조직이다. 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장) 직속으로 배치된다. 개발팀장직은 황상준 D램개발실장(부사장)이 겸직한다. 최근 인력 충원을 위해 사내 잡포스팅(직무전환제도)도 진행했다. 삼성전자가 HBM4와 HBM3E 개발 조직을 이원화한 것은 차세대 HBM 시장 헤게모니를 되찾기 위해서다. 삼성전자는 지난 2019년 HBM 개발팀을 해체했고, 이 영향으로 HBM3 시장에서 SK하이닉스에 점유율을 크게 빼앗겼다.  반도체 소자 업계관계자는 "삼성전자 내부에서는 HBM4부터 HBM 시장 점유율을 역전할 수 있을 것으로 내다보고 있다"며 "팀 내부와 외부에서 HBM4에 대한 자신감이 상당히 높다"고 귀띔했다. 삼성전자가 HBM4에서 역전을 자신하는 이유는 크게 두 가지인 것으로 추정된다. 첫 번째 이유는 열압착(TC)-비전도성접착필름(NCF)의 휨 특성 우수성이다. TC-NCF는 HBM 적층 시, 열과 압력을 가하는 방식으로 진행해 경쟁사와 비교해 휨에 강하다는 장점이 있다. 특히, 16단 이상 제품에서 코어 다이 두께를 크게 줄여야하는 만큼, 경쟁사의 경우 휨 제어가 힘들 수도 있다는 분석이다. 두 번째는 선단 파운드리의 내재화다. HBM4부터는 HBM 최하단에 위치한 로직다이를 파운드리 공정을 이용해 제작해야 한다. 특히 엔비디아, AMD 등 주요 고객사의 커스터마이즈 니즈가 강해지고 있는 만큼, 7nm 이하 선단 공정을 사용할 것으로 예상된다. 삼성전자의 경우 이를, 자체 파운드리를 통해 생산할 수 있다는 것이다. SK하이닉스의 경우 로직다이 생산을 위해 TSMC 파운드리를 사용한다. 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장(사장)도 HBM4에 대한 자신감을 내비치고 있다. 경 사장은 지난 3월 개인 인스타그램 계정을 통해 "(HBM) 전담팀을 꾸리고, 팀은 정성을 다해 품질과 생산성을 높이고 있다"며 "이들의 노력으로 HBM의 리더십이 우리에게로 오고 있다"고 자신했다. 이어 "많은 고객들이 커스텀 HBM4를 개발하고 싶어한다"며 "그리고 고객들은 우리와 함께 그 일을 할 것"이라고 덧붙였다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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