SK하이닉스가 3분기 매출 17조5731억 원, 영업이익 7조 300억원, 순이익은 5조 7534억원을 기록했다.

모두 역대 신기록이다. 매출은 올해 2분기(16조 4233억원)보다 1조원 이상 넘어섰고, 영업이익과 순이익은 ‘반도체 슈퍼 호황기’라고 불렸던 2018년을 뛰어넘었다. 그해 3분기의 영업이익은 6조 4724억원, 순이익은 4조 6922억원이었다.

다음은 실적발표 후 진행한 컨퍼런스콜 전문이다. ▲김우현 최고재무책임자(CFO) ▲김규현 D램 마케팅담당 ▲김석 낸드 마케팅담당이 참석했다. 

[2024년 3분기 실적]

3분기는 PC, 스마트폰 등 일반 범용처의 수요 회복은 다소 지연되었으나 데이터센터 중심 AI향 메모리 제품에 대한 수요는 강세가 지속되었습니다. 이에 당사는 HBM과 eSSD 등 고부가가치 제품의 판매를 확대하여 분기 기준 사상 최대인 17.57조 원의 매출을 달성하였으며 이는 전 분기 대비 7%, 전년 동기 대비 94% 증가한 것입니다.

먼저 D램은 HBM3E 제품의 판매가 크게 확대된 반면, 모바일과 PC의 수요 약세로 일반 범용 제품의 판매가 축소되면서 출하량은 전 분기에 비해 소폭 줄어들었습니다. 하지만 고부가가치 제품인 HBM의 판매량이 늘어나고 일반 D램 제품 가격의 상승세도 이어지며 ASP는 전 분기와 같은 10% 중반의 상승률을 기록하였습니다. 특히 HBM 매출은 전 분기 대비 70% 이상, 전년 동기 대비 330% 이상 증가하며 매출 성장을 주도하였습니다.

낸드는 견조한 eSSD 수요에도 불구하고 PC와 모바일 고객들의 재고 조정에 따른 고객 수요 약화로 출하량은 전 분기 대비 10% 중반 감소하였습니다. 반면 ASP는 단품과 MCP 제품을 제외한 전 제품의 가격이 오르고, 가격이 높은 eSSD의 판매 비중 확대로 10% 중반 상승하며 전 분기와 같은 큰 폭의 상승률을 유지하였습니다.

3분기 eSSD 매출은 전 분기 대비 약 20%, 전년 동기 대비 430% 이상 성장하며 올해 낸드의 매출 성장을 이끌고 있습니다. 3분기 영업이익은 메모리 가격 상승에 따른 매출 증가와 수익성이 높은 제품의 판매 비중 확대로 전 분기 대비 2.56조 원 증가한 7.03조 원, 영업이익률은 전 분기 대비 7%포인트 증가한 40%를 기록하며, 분기 기준 사상 최대의 영업이익을 달성하였습니다. 당사는 업계 선두의 제품 기술력을 바탕으로 HBM과 eSSD 등 고부가가치 제품의 판매 확대를 통해 D램과 낸드 모두 수익성을 전 분기 대비 개선하며, 18년 초호황기에 달성했던 이익 규모를 넘어서는 실적을 기록하였습니다.

3분기 감가상각비와 무형 자산 상각비는 3.07조 원으로 지난해 투자 축소에 따라 감소 추세가 이어지고 있으며, EBITDA는 10.1조 원, EBITDA 마진율은 57%를 기록했습니다. 주요 영업외항목은 순이자비용 0.23조 원과 외화 관련 순이익 약 180억 원 등으로 전체 영업외비용에서 수익을 차감한 순영업외비용은 0.15조 원이 발생했습니다. 이에 법인세 차감 전 순이익은 6.88조원, 당기순이익은 5.75조원, 당기순이익률은 33%를 기록했습니다.

3분기 말 당사가 보유한 전체 현금성 자산은 10.9조원으로 전 분기 말에 비해 1.2조 원 증가했으며, 차입금은 21.8조원으로 전 분기 말 대비 3.4조원 감소하며, 순차입금은 전 분기 대비 4.6조원 줄어든 11조원으로 마감하였습니다. 이에 당사자의 3분기 말 차입금과 순차입금 비율은 각각 33%와 17%로 전 분기 말 대비 큰 폭으로 개선되었습니다. 

 

[시장 전망]

다음으로 시장 전망에 대해 말씀드리겠습니다. 

작년부터 시작된 AI향 메모리 제품의 폭발적인 수요 증가가 계속되면서 메모리 시장은 올해에도 성장세를 이어가고 있습니다. HBM과 eSSD 등 AI 서버에 탑재되는 메모리 제품이 특히 높은 성장세를 보이고 있습니다. 주요 응용처인 PC와 스마트폰의 수요 회복이 기대 대비 다소 지연되고 있음에도 서버 및 AI향 메모리 제품의 수요 강세가 기존 응용처의 수요 약세를 충분히 상쇄하고 있으며, 앞으로 AI 기술의 적용 범위가 확대될수록 메모리의 수요 저변도 넓어지면서 시장은 더욱 안정적으로 성장해 나갈 것으로 기대합니다. 올해 출시된 AI PC나 AI 스마트폰이 메모리 수요에 미친 영향은 다소 제한적이었으나, 내년부터는 한층 강화된 AI 기능들이 소개되며, 향후 메모리 수요의 성장 모멘텀을 제공할 것으로 예상합니다.

먼저 올해 PC 출하량은 전년과 동일한 수준이지만, 내년에는 한 자릿수 초 중반에 출하량 성장을 예상하고 있습니다. 내년 하반기 윈도우10 지원 종료에 따른 기업용 PC 교체 수요와 올해 말부터 AI PC의 출하가 본격화되면서 PC향 메모리 수요는 점진적인 회복이 기대됩니다. 이미 PC D램 내에서 LPDDR5의 비중이 상당한 수준이며, 앞으로 AI PC의 판매가 확대될수록 LPCAMM2와 같은 고성능 저전력 제품의 수요가 증가할 것으로 전망됩니다.

내년도 스마트폰 시장 역시 올해보다 개선된 한 자릿수 초중반의 성장을 예상하고 있습니다. 성숙기에 도달한 스마트폰 시장은 그동안 신기술의 부재와 중고 시장 확대 등으로 인해 수요가 정체되었으나, 앞으로 출시될 혁신적인 AI 기능은 소비자들의 구매 수요를 촉진시킬 수 있을 것으로 기대됩니다. 올해는 소수의 플래그십 제품에만 한정되었던 AI 기능이 내년에는 하이엔드 제품군에도 채용이 확대되며, AI 스마트폰의 판매 비중은 더욱 높아질 것으로 보입니다. 스마트폰에서 AI 모델을 구현하기 위해서는 기존 D램 채용량보다 최소 3에서 4GB의 D램이 추가로 필요한 점을 고려하면, AI 스마트폰의 성장은 D램 채용량 증가를 필요로 할 뿐만 아니라, LPDDR5X와 LPDDR5T와 같은 고성능 메모리의 수요도 함께 확대할 것으로 전망됩니다.

서버 시장은 AI 시장을 선점하기 위한 빅테크 기업들의 투자가 지속되며, AI 서버 중심으로 높은 수요 성장세가 예상됩니다. 올해 주요 빅테크 기업의 투자 규모는 연초 예상보다 증가했으며, 일부 수익화 지연에 대한 우려에도 불구하고 AI 서버에 대한 투자를 축소할 가능성은 낮아 보입니다. 한편, 일반 서버도 교체 주기의 도래와 함께 에너지와 공간 효율을 중시하는 고객 니즈가 커지면서, 내년 전체 서버 시장은 한 자릿수 중후반의 성장이 예상됩니다. 생생형 AI가 멀티모달 형태로 발전하고 있고, 워크로드 요구량이 계속 증가함에 따라 AI 서버 수요 모멘텀은 중장기적으로 지속될 전망입니다. 일례로 최근 공개된 오픈AI의 4o처럼 추론을 오래 수행할수록 컴퓨팅 파워의 요구량이 늘어나고, 그에 따라 성능 향상도 이루어지고 있습니다. 이는 더 복잡하고 심도 있는 모델일수록 보다 정확하고 정교한 결과를 내기 위해 더 많은 계산 자원을 필요로 하기 때문입니다. 현재 여러 업체에서 경쟁적으로 AGI 개발을 목표로 연구 중이며, 이를 위한 중장기적 트레이닝 인프라 확대가 앞으로 서버 수요를 견인할 것입니다. 대형 모델 사이즈가 필요한 AGI의 경우, 하드웨어의 요구량이 매우 커서 서버 수요의 핵심 동력이 될 것으로 기대됩니다. 또한 AI 모델의 지속적인 업데이트와 개인화된 서비스 제공을 위해서는 실시간 데이터의 처리와 빠른 추론이 필요해지며, 이는 클라우드 인프라와 엣지 컴퓨팅 서버 수요를 동시에 증가시킬 것으로 예상됩니다.

AI 서버의 수요 증가와 성능 개선을 위해서는 컴퓨팅 연산 동작을 지원하는 HBM의 성능과 채용량의 증가도 필수적입니다. 강력한 연산을 지원하기 위한 밴드위스 확대 외에도 더 높은 단수의 패키징 제품 개발을 통한 용량 증가와 함께 저전력 특성도 중요해지고 있습니다. 또한 고객들의 수요도 다변화되면서 커스텀 HBM 수요도 점차 확대될 것으로 예상하고 있습니다. 이러한 주요 응용처별 수요 환경을 고려하여, D램 수요 성장률은 올해 10% 중후반에서 내년 10% 후반으로 개선되고, 낸드 수요 성장률은 올해와 내년 모두 10% 중반을 예상하고 있습니다.

 

[향후 계획]

다음으로 당사의 계획을 계획에 대해 말씀드리겠습니다. 

4분기 뒤로는 수요가 견조한 HBM과 서버 D램을 중심으로 판매를 확대해 전 분기 대비 한 자릿수 중반에 출하량 증가를 계획하고 있습니다. 낸드는 eSSD 제품의 판매 확대에 집중해 10% 초반의 출하량 증가를 계획하고 있습니다.

당사는 4분기에도 고부가가치 제품 중심으로 판매를 확대하여 계속해서 수익성을 개선시켜 나갈 계획입니다. 당사의 D램 매출 성장을 견인하고 있는 HBM 매출 비중은 3분기에 30%로 확대되었으며 4분기에는 40% 수준에 이를 것으로 예상됩니다. 3분기 중 HBM3E 출하량은 HBM3를 넘어섰으며, 4분기에는 예정대로 HBM3E 12단 제품의 출하를 시작하여, 내년 상반기 중에는 12단 제품 비중이 전체 HBM3E 출하량의 절반 이상으로 증가할 예정입니다. 

당사는 높은 성능과 안정성이 입증된 1b 나노미터 공정과 어드밴스드 패키징 기술력을 바탕으로 예상보다 빠르게 증가하는 HBM3E 수요에 적기 대응할 계획입니다. 당사는 차별화된 AI향 제품 경쟁력으로 매출 안정성과 함께 수입 원천이 확대되었으며, 이에 따라 시장 수요 상황에 맞춰 제품 및 공급 전략을 유연하게 구사할 수 있게 되었습니다. 당사는 향후에도 지금까지 해왔던 것과 같이 수익성 개선에 집중하겠습니다.

한편, 당사는 지난 8월 말 업계 최초로 10나노급 6세대 기술인 1c 나노미터 공정을 적용한 16GB DDR5 제품을 개발하며, D램의 기술 경쟁을 이어나가고 있습니다. 당사의 1c 나노미터 공정은 이미 양산 안전성과 높은 제품 특성을 입증한 1b 나노미터의 플랫폼을 바탕으로 개발하여, 향후 양산 적용 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 1b 나노미터의 강점을 효율적으로 이어갈 것으로 예상하고 있습니다. 현재 제품 인증을 위한 샘플을 제공하였고, 최고의 성능과 원가 경쟁력을 갖춘 제품으로 내년 DDR5의 수요 확대에 대응할 계획입니다. 

한편, 당사의 낸드 실적 개선을 주도하고 있는 eSSD는 계속해서 매출이 증가하여 3분기의 당사 낸드 매출의 60% 이상을 차지하였습니다. 당사는 현재 업계에서 유일하게 60TB 제품을 대량 공급하고 있으며, 122TB 제품도 내년 상반기 공급을 목표로 인증 절차를 진행 중에 있습니다. 아울러 당사는 238단 기술을 적용하여 PCIe Gen5 eSSD 제품인 PEB110을 지난 9월 개발하였으며, 이를 통해 제품 라인업을 더욱 강화하여 eSSD 시장에서의 위상을 강화해 나가도록 하겠습니다. 

AI 기술의 발전에 따른 메모리 제품의 수요 변화는 공급 환경 측면에서도 많은 변화를 가져오고 있습니다. 불황에 따른 감산과 웨이퍼 당 취득 다이 수가 적은 HBM의 생산 비중 확대로 인해 최근 2년간 일반 D램의 생산 증가는 제한적이었습니다.

하지만 올해 들어 가동률 회복과 투자 확대로 공급이 증가하고 있는 가운데, 특히 레거시 제품의 공급 증가 폭이 커졌습니다. 당사는 이러한 시장 환경 변화에 대응하기 위해 확실한 경쟁 우위를 가진 제품을 중심으로 생산을 확대해 나갈 계획입니다. 올해 수요가 둔화되는 DDR4와 LPDDR4의 생산을 계획보다 빨리 축소하는 대신, HBM과 DDR5, LPDDR5의 생산을 확대하는 데 필요한 첨단 공정의 전환을 앞당길 계획입니다.

한편 낸드는 업계의 재고가 충분히 소진될 때까지 CAPEX 증가보다는 팹 전환 중심의 운영을 지속하고 투자 효율성과 (오디오 상황 좋지 않음) 더욱 주력할 예정입니다. 올해 당사의 투자는 수요가 증가하고 있는 고부가가치 제품의 양산 확대에 집중하였습니다. 내년에도 당사는 HBM, DDR5, LPDDR5, 그리고 eSSD 등 수요가 확실하게 늘어나는 제품을 안정적으로 공급할 수 있도록 첨단 공정으로의 전환 투자 중심으로 집행할 계획이며, 시황 악화 시 선제적으로 투자를 조정할 수 있도록 여러 시나리오를 가지고 검토하고 있습니다.

미래 성장을 위해 준비 중인 M15X와 용인 클러스터의 1기 팹 투자로 인해 내년 인프라 투자는 올해보다 증가할 것으로 예상됩니다. 다만 먼저 완공되는 M15X가 당사의 D램 생산에 기여하는 시점은 26년으로 예상되며 당사는 수요 환경에 맞춰 신규 팹의 양산 시기와 규모를 탄력적으로 조정해 나갈 계획입니다. 당사는 차별화된 AI향 메모리 기술 리더십을 바탕으로 이번 분기에 역대 최대 매출과 영업이익을 달성하였습니다. 앞으로도 AI 메모리 선두 업체로서 차세대 메모리 제품을 적기에 공급하여 AI 산업 성장에 기여하도록 하겠습니다. 

 

[Q&A 세션]

 

Q. D램 관련 질문 드리겠습니다. PC와 모바일 수요 둔화와 경쟁 심화로 DDR4와 LPDDR4 같은 범용 D램의 가격 하락 압력이 커지고 있습니다. 향후 commodity(범용) D램 가격 전망에 대해 의견 부탁드리겠습니다. 또한 이처럼 레거시 가격이 하락을 해도 우리 SK하이닉스는 HBM 매출 비중 확대 효과로 블랜디드 ASP의 경우 시장 가격과 다르게 움직일 수 있을 것 같습니다. 이에 어떻게 보시는지 고견 부탁드리겠습니다.

A. 말씀하신 바와 같이 PC와 모바일 시장에서의 수요 개선이 지연되고 있고 중국 공급사들이 레거시 시장 진출을 가속화하는 등 DDM 수급에 부정적인 영향을 미치는 요인들이 증가하면서 D램 가격 변동성이 높아지고 있습니다. 하지만 DDR4나 LPDDR4와 같은 레거시 제품하고 HBM, DDR5, LPDDR5와 같은 프리미엄 제품의 수급 상황이 크게 다르기 때문에 각 제품의 가격 변동 방향도 서로 다르게 나타날 것으로 예상됩니다. 아시다시피 HBM 제품은 장기계약을 통해서 가격과 물량이 대부분 확정되어 있습니다. 25년에는 HBM3E 판매가 크게 증가하면서 당사의 평균 HBM 가격은 전년 대비 상승할 것으로 예상됩니다. 또한 고성능 고사양 DDR5와 LPDDR5 제품의 같은 경우에는 아직 후발 업체 시간이 필요하다고 보고 있고 고객 및 공급업체들의 재고 수준도 낮은 것으로 파악하고 있습니다. 반면에 향후 수요는 이들 제품 중심으로 증가할 것으로 예상되기 때문에 이들 제품군에 대한 가격 하락 압력은 제한적일 것으로 보고 있습니다. 당사의 D램 매출 구조는 HBM 비중이 올해 연말에 40% 수준에 도달할 만큼 커지면서 사업 안정성이 커졌습니다. 따라서 HBM에 상대적으로 높은 ASP를 고려한다고 하면 당사의 블렌디드 D램 ASP는 일부 제품 가격이 하락하더라도 개선세가 유지될 수 있을 것으로 전망하고 있습니다. 앞으로도 HBM 사업 강화를 통해서 안정적인 매출을 확보하면서도 수익성을 극대화하도록 노력하겠습니다. 

 

Q. 저의 질문은 3분기 저조한 비트 성장률입니다. 특히 낸드에서 기대치보다 낮은 빗그로스가 나온 배경 좀 설명 부탁드리고요. 그럼에도 불구하고, 좋은 실적 내신 것 다시 한번 축하드립니다. 

A. D램 먼저 말씀드리겠습니다. D램의 경우 3개월 전 실적 발표에서 저희가 드린 빗그로스 가이던스가 2분기에 비해 한자릿수 초반 성장할 것으로 말씀드렸는데 실적은 한자릿수 초반 감소하였습니다. 계획 대비 줄어든 판매량은 대부분 PC 응용 제품이었고 예상하시겠지만, DDR4 판매 물량이 줄어든 것입니다. 대신에 그 DDR5를 계획보다 좀 더 보다 판매하면서 일부 판매 물량을 만회할 수 있었습니다. 낸드의 경우에는 3분기 빗그로스 가이던스가 Q/Q 한자릿수 중반 감소로 말씀 드렸었는데 실적은 10% 중반 감소였습니다. 이 역시 대부분 감소는 단품과 클라이언트 SSD 제품이었으며 채널과 PC 시장 수요 둔화에 따라서 이들 제품군의 가격 하방 압력이 상당히 많았습니다. 저희는 수익성 중심의 판매 전략에 따라 기존 판매 물량 계획을 좀 하회하더라도 일부 수요가 둔화되고 가격이 하락하는 제품일 경우는 재고 캐리를 하기로 결정을 했습니다. 이 부분은 향후 생산량 조절을 통해서 점진적으로 재고를 축소해 나갈 계획입니다. 

 

Q. HBM 쪽에 질문이 있는데요. 최근 블랙웰 플랫폼 공급 지연 가능성, 그리고 업체들의 HBM 공급 증가에 따라서 2025년 내년에 D램 수급 HBM 수급에 대해서 공급 과잉에 대한 우려가 있는 것 같습니다. 이에 대해서 회사는 어떻게 보시는지 의견 부탁드리겠습니다. 

A. HBM은 일반 D램과 달리 장기계약 구조로서 25년 고객별 물량과 가격 협의가 대부분 완료되어 있기 때문에 수요 측면에서 가시성이 매우 높다고 볼 수 있을 것 같습니다. 내년 HBM 수요는 AI칩 수요 증가하고 그리고 고객들의 지속적인 AI 투자 확대 의지가 확인되고 있는 만큼 예상보다 더욱 늘어날 것으로 전망하고 있습니다. 현재 AI 기술은 단순히 학습된 패턴을 생성하거나 과거 데이터에 기반한 예측을 내놓는 것이 아니라 다양한 가능성을 생성하고 또한 추론에 기반한 결정을 내리기 위해 더 많은 컴퓨팅 시간을 사용하는 방향으로 발전하고 있습니다. 앞으로는 컴퓨팅 파워의 요구량이 더욱 늘어나고 계산 재원이 더 많이 필요할 것으로 예상되기 때문에 현 시점에서 AI 반도체나 HBM의 수요 둔화를 거론하는 것은 시기상조라는 판단입니다. 오히려 HBM 신제품 개발에 필요한 기술의 난이도는 점점 더 증가하고 있고 이에 따라서 수율 로스 그리고 고객 인증 여부 등과 같은 여러 요인들을 감안하면 메모리 업계가 고객이 요구하는 품질의 제품을 적기에 충분히 공급하는 것이 쉽지 않을 것으로 보입니다. 다시 말씀드리자면 수요 측면에서의 업사이드 가능성 그리고 공급 측면에서의 다운사이드 가능성이 높기 때문에 내년에도 공급보다는 수요가 강한 상황이 지속될 것으로 전망하고 있습니다. 고객들이 일반 D램과 달리 HBM에 대해 장기계약을 체결하는 것도 이런 상황을 반영했기 때문이라고 생각됩니다. 

 

Q. HBM 관련 한 가지 질문이 있는데요. 아까 2025년 HBM CAPEX가 솔드아웃 됐다고 하셨는데 만약 여기서 추가 수요가 있을 경우 뭐 잠시 전에도 말씀하셨지만, 대응 여력이 있으신지 그리고 어떻게 대응하실 계획이신지 궁금합니다. 

A. 일각의 우려하고는 달리 그 올해 AI향 수요는 계속해서 예상치를 상회하고 있고 고객사들의 추가적인 공급 요청이 이어지고 있습니다. 당사가 올해 TSV CAPEX를 작년 대비 2배 이상 확보한다는 계획을 순조롭게 이행하고 있고 또한 HBM3E 공급 확대를 위해서 1b 나노미터 전환도 계획에 맞춰서 차질 없이 진행하고 있습니다. 또한 이미 확보된 내년도 고객 요구 물량을 충족시키기 위해서 필요한 투자도 집행하고 있습니다만 당초 계획보다 증가된 수요를 모두 대응하는 것은 당사의 생산 여력에 한계가 있는 것도 사실입니다. 특히 HBM3E 제품에 대한 고객들의 수요가 예상보다 빠르게 증가하고 있는 추세입니다. 당사는 가능한 빠르게 HBM3와 DDR4 등에서 활용되었던 레거시 테크를 선단 공정으로 전환해가지고 수요가 둔화되는 제품의 생산은 줄이고 HBM3E 생산을 확대하는 데 집중해서 고객 추가 수요에 최대한 대응할 계획입니다. 

 

Q. 최근 재고 상황에 대해서 좀 질문드리고 싶은데요. 최근에 PC 모바일 수요가 많이 둔화되면서 재고 이슈들이 있고 시장에서 concern(우려)도 좀 있는데요. 현재 회사 및 고객들의 재고 상황이 어떤지 좀 궁금합니다. 그리고 제가 볼 때 DDR4나 DDR5 프리미엄 제품 상황이 좀 다를 것 같긴 한데요. 언제쯤 재고가 정상화될 것으로 보시는지 설명 부탁드리겠습니다. 

A. PC와 모바일 수요 회복이 당소에 당초 예상보다는 지연되면서 당사는 생산 계획을 조정해 가지고 재고 비중이 높은 일부 레거시 제품의 생산 비중을 계획보다 빠르게 축소하고 있는 상황입니다. 3분기 말 PC와 모바일 고객사의 전반적인 재고는 전 분기 대비 비슷한 수준에서 유지되었고 상대적으로 수요가 견조한 서버 고객사의 재고는 양호한 수준으로 파악하고 있습니다. 한편, PC 모바일 서버 등 전 응용처를 막론하고 DDR5와 LPDDR5는 여전히 높은 수요를 유지하고 있습니다. 당사의 일반 D램 생산 여력은 HBM 생산 확대로 제한적이기 때문에 DDR5와 LPDDDR5 재고는 현재 타이트한 상황입니다. 당사는 내년 HBM 수요 업사이드 그리고 DDR5 LPDDDR5 수요 대응을 위해서 레거시 제품의 생산 규모는 줄이고 선단 공정으로의 전환을 앞당겨 추진하고 있습니다. 이렇게 수요에 얼라인 된 유연한 생산 계획을 통해서 레거시 제품의 재고를 점진적으로 소진하게 된다고 하면 내년 상반기 중에는 업계 전반에 레거시 제품의 재고가 정상화되지 않을까 전망하고 있습니다.

 

Q. 지금 발표 중에 말씀을 하시기를 SK하이닉스에서는 HBM3E 12단 같은 경우에는 동종업계의 다른 경쟁사 대비해서 더 빠르게 이 제품을 출시를 하셨다고 하셨는데요. 그런데 이제 이달 초 경쟁사 중에 한 곳에서 최근 고객사의 제품 출시 변경으로 인해서 HBM3E 생산 증가에 영향을 받고 있다고 밝혔습니다. 그래서 SK하이닉스에서도 같은 변경 상황을 겪고 있는지 궁금하고요. HBM3E 12단의 시장 점유율이 HBM3E 8단과 비교했을 때 어떤지 궁금합니다. 

A. 당사는 올해 초에 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급하기 시작했고, 이번 분기에는 HBM3E 비중이 HBM3를 넘어섰다고 앞서 말씀드렸습니다. 이처럼 빠른 HBM3E 제품 비중 확대는 고객의 수요 증가를 반영한 것으로 앞서 말씀드린 것처럼 HBM3E의 수요 증가세는 당초 예상보다 빠르게 진행되고 있습니다. HBM3E 12단 제품은 9월부터 이미 양산을 개시했고 계획대로 이번 분기부터 출하할 예정입니다. 고객의 신제품 출시에 따라서 내년 HBM 시장 수요는 HBM3E 8단에서 12단으로 빠르게 전환될 것으로 예상됩니다. 따라서 HBM3E 12단은 내년 상반기 중 HBM3E 8단의 판매 물량을 넘어설 것으로 예상되고 있고요. 내년 하반기에는 대부분의 물량이 12단 제품이 될 것으로 보고 있습니다. 당사는 단수 증가로 공정의 난이도가 높아지는 만큼 순조로운 양산을 위한 제반 준비를 미리 갖추었고 고객과 긴밀한 협업으로 12단 수요를 선점해 나갈 예정입니다. 8단에서와 마찬가지로 HBM3E 12단 제품에서도 점유율을 리드할 계획이고요. 특수성 측면에서도 업계 최고 특성이 확보된 만큼 계속해서 제품 차별화를 통해 HBM 시장을 선도해 나갈 계획입니다. 

 

Q. 저는 낸드에 관해서 질문을 좀 드리고 싶습니다. 투자 기조를 보시면 전반적으로 보수적을 지향하시는 것 같고 D램은 하지만 수요가 보이는 만큼 상대적으로 적극적인 투자 기조를 갖고 계신 것 같습니다. 하지만 이제 낸드에 관해서는 보수적 기조를 또 갖고 계신 것 같은데요. 향후 저희 회사가 낸드 시장에 대해 어떻게 전망하고 있고 어떤 전략을 세우고 있는지 좀 여쭤보고 싶습니다.

A. 올해 초부터 밝힌 바와 같이 당사 낸드 사업은 외형적인 성장에 집중하기보다는 첫째 수익성 우선 둘째 투자 최적화에 집중하고 있습니다. 이러한 전략의 일환으로 수익성 확보가 담보되는 제품의 공정 전환에만 CAPEX를 집행하며 투자 효율성에 집중하고 있고 업계의 재고가 정상 수준으로 회복되고 본격적인 수요 개선이 가시화될 때까지는 보수적인 CAPEX 운영과 투자 기조를 유지할 계획입니다. 또한 올해 낸드 시장에서 뚜렷한 수요 회복세를 보이는 eSSD와 같은 고수익 중심 제품 믹스를 강화하고 있고 초고용량 eSSD 제품 라인업을 확대해서 저희의 포트폴리오를 더욱 고도화할 예정입니다. 3분기 저희 실적에서 나타난 것과 같이 당사는 낸드 비트 판매량이 다소 줄어들더라도 가격 안정화에 집중하고 있습니다. 이에 따라서 올해 전체로 당사 낸드 제품은 물량 기준의 점유율은 다소 줄어들 수 있겠으나 매출액 기준의 점유율은 전년 대비 확대될 것으로 예측하고 있습니다. 올해 낸드 수요는 예상보다 더디게 개선되고 있으나 내년에는 AI PC와 AI 스마트폰 출시가 본격화되고 교체 수요까지 발생하면서 낸드 수요 환경은 올해보다 개선될 것으로 예상됩니다. 당사는 지속적으로 수익성을 창출할 수 있는 낸드 사업 체질 강화를 위해서 다시 말씀드리지만 첫째 수익성, 우선 둘째 투자 최적화 방침을 유지할 계획입니다.

 

Q. 저는 HBM 관련 질문이 있는데요. HBM이 일반 D램 대비 동일 칩 생산량 기준으로 웨이퍼 투입 필요량이 한 3배 정도 되는 걸로 알고 있는데 이게 HBM4 내년으로 넘어가게 되면 일반 D램과의 전환 비율이 더 커지는지 변화가 어떤지 좀 궁금합니다.

A. HBM은 고대역폭과 고성능을 구현하기 위해서 일반 D램보다 다이 사이즈가 큽니다. 또한 여러 단수를 쌓는 패키지 공정의 특성상 일반 D램 제품과 동일한 비트 생산을 위해서는 더 많은 웨이퍼 CAPEX가 필요합니다. HBM3E는 동일 용량의 DDR 제품 대비해서 약 2배에서 3배 가량 추가 웨이퍼 CAPEX가 필요한데요. 12단은 8단보다 패키징 난이도가 높아지면서 성숙 수율도 떨어지기 때문에 더 많은 CAPEX를 필요로 하고 있습니다. HBM4로 전환되면 더 높은 대역폭 그리고 고성능 특성 구현을 위해서 다이 사이즈는 더 커지기 때문에 일반 D램과의 전환율은 3배 이상으로 증가할 것으로 보입니다. 중장기적으로 D램 수요는 연평균 10% 중후반대 성장이 전망되고 있습니다만 HBM은 D램 평균을 크게 상이한 성장을 예상하고 있습니다. HBM의 수요 증가와 전환율 상승을 감안한다고 하면 동일 비트 생산을 위해 필요한 웨이퍼는 HBM의 세대 변화에 따라 더 많이 요구될 것으로 보이고 이에 따라서 일반 D램의 공급량은 계속해서 제한될 것으로 예상됩니다.

 

Q. 저는 중국 관련 질문드리고 싶은데요. 최근 중국 D램 공급사들의 공격적인 CAPEX 확장에 대해서 우려하는 목소리가 높습니다. 중국 메모리 시장 진입에 대해 회사 측에서 업데이트 주실 부분이 있으신지 하고 대략적인 운영 계획 포함해서 당사의 중장기적인 중국 대응 방안은 어떤 것들이 있을지 여쭙고 싶습니다.

A. 말씀하신 바와 같이 중국 메모리 공급사의 어떤 공급 증가로 DDR4나 LPDDR4와 같은 레거시 제품 시장은 경쟁 강도가 높아지고 있습니다. 다만 DDR4, LPDDR4 제품이 채용되던 시장은 이미 DDR5와 LPDDR5로 크로스 오버가 이루어지고 있고 후발 업체들은 기술력과 어떤 제품력 측면에서 여전히 기존 업체들과는 큰 격차가 있습니다. 애플리케이션에 따라서 성능보다는 가격 경쟁력이 상대적으로 더 중요할 수 있지만 PC와 스마트폰에서도 AI 기능의 탑재가 확대될 수 있도록 고성능 고사양 메모리의 필요성이 커질 것입니다. 당사는 변화하는 경쟁 환경을 감안하여 레거시 제품은 빠르게 축소하고 중장기 성장이 예상되는 고부가가치 시장에 선택과 집중할 것입니다. DDR5와 LPDDR5의 경우에도 더욱 빠른 스피드를 지원하는 제품 개발을 통해서 계속해서 후발 업체들과의 격차를 이어나갈 계획입니다.

 

Q. 올해와 내년 설비 투자에 대한 계획과 그리고 내년 업황이 예상보다 부진할 경우에 저희가 이제 이 투자 계획들을 어떤 식으로 축소해 나갈 수 있을지에 대한 공유 부탁드립니다.

A. 올해 투자 규모는 예상했던 것보다 빠르게 성장한 HBM 수요 대응하고 M15X 투자 결정을 반영하여서 연초 계획보다는 다소 증가한 10조 원 중후반대가 예상이 됩니다. 25년은 아직 구체적인 규모가 확정되지는 않았으나 HBM의 어떤 안정적인 공급을 위한 투자 그리고 즉 1b 나노미터의 전환과 TSV CAPEX 확보 그리고 후공정 CAPEX 투자 등 이미 고객과의 공급계약 체결로 수요가 확보된 제품에 대한 투자와 레거시 제품을 줄이는 대신에 DDR5 LPDDR5의 양산 확대를 위한 전환 투자 그리고 M15X와 용인 인프라 투자 지속 등을 고려해서 올해보다는 소폭 증가할 것으로 예상합니다. 다만 투자 규모의 증가분이 대부분 인프라 R&D 후공정에 투입된다는 점을 감안하면 단기 생산 증가 영향은 제한적입니다. 내년도 투자에 대해서는 여러 시나리오를 두고 검토하고 있고 투자 의사 결정에 영향을 미칠 수 있는 어떤 사인 포스트를 선정하고 지속적으로 점검할 예정입니다. 당사는 계속해서 수익성이 확보된 제품에 한해서 투자를 지속한다는 원칙을 유지하고 있고 앞으로 시황 변화에 따라 유연한 투자 결정으로 대응해 나갈 계획입니다.

 

Q. 낸드 관련해서 간단한 질문 하나 드리겠습니다. 빗그로스하고 ASP 보면 이번 분기 매출액이 지난해에 비해서 비슷할 것 같은데 마진은 좀 개선되지 않았나 보여집니다. 그게 아까 말씀하신 product mix improvement 측면도 있을 텐데 혹시 재고자산평가 환입이라든가 일회성비용 같은 거 그런 부분이 있는지 설명해 주시면 감사드리겠고 혹시 이게 낸드 관련해서 일회성비용들이 4분기나 앞으로 나올 게 더 남아 있는지 설명 부탁드리겠습니다.

A. 3분기 낸드는 수요 강세가 지속된 eSSD 제품 중심과 실수요 위주의 판매 대응을 하여 출하량은 감소하였지만 ASP의 상승이 판매량의 감소를 거의 상쇄하고 매출은 전 분기 대비 아주 소폭 감소하였습니다. 판매량 감소에 따라서 매출 원가가 줄어든 반면에 가격 상승에 따라서 매출액은 유지되면서 수익성이 개선되었고 수익성이 높은 eSSD 제품의 매출 비중이 60%를 넘은 것도 수익성 개선에 크게 작용을 하였습니다. 재고평가 손실에 또는 환입과 같은 일회성비용과 관련해서는 이미 다운턴 기간에 인식한 재고평가충당금이 대부분 환입되었고 이번 분기에는 적합도 평가에 따른 재고평가와 관련 손익 영향은 미미했고 재평손의 어떤 수익성에 영향을 미치는 일회성비용의 유의미한 증가는 없었습니다.

 

Q. 조금 이를 수는 있는데 향후 이제 개발이 되고 있는 HBM4 관련돼서 질문을 드리고 싶습니다. 현재 지금 개발 현황과 지금과 같은 기술 리더십이 계속 유지될 수 있을지 좀 궁금하고요. 그리고 HBM4부터는 사실 가장 큰 변화 중에 하나가 로직 다이로 알고 있는데 로직 다이를 위해서는 실질적으로 고객사나 파운드리 협업이 굉장히 중요한 걸로 알고 있습니다. 그래서 과거와 좀 이런 협력에 대해서 좀 변화가 있는지 좀 궁금합니다.

A. 당사는 최고의 특성과 품질을 가진 HBM 제품 개발을 위해서 고객과 HBM 제품의 사전 기획 단계부터 기술적 이슈를 도출하고 또한 고객 피드백을 통해서 내부 베이스라인을 개선하는 등의 정합성을 높이는 과정을 통해서 제품의 완성도를 높여왔습니다. HBM4에서는 I/O 개수가 2배로 늘어나고 또한 저전력 성능을 위해서 새로운 스킴이 적용되고 처음으로 로직 파운더리를 활용하는 등 기술적으로 많은 변화가 예상됩니다. 따라서 기존의 테스트 범위를 넘어서 훨씬 더 깊이 있는 기술 교류가 필요하고요. 이에 따라서 당사와 파운더리 파트너사 간 원팀 체계를 구축해서 협업을 진행하고 있습니다. 빠르게 발전하는 AI향 반도체 기술 속도에 맞춰서 성능이 향상된 차세대 제품을 적기에 공급하는 것이 앞으로의 HBM 시장에서 주도권을 확보하는 것의 핵심 요인이라고 생각하고 있습니다. commodity 성격을 가지고 있는 일반 D램과는 달리 HBM은 고객의 수요에 기반해서 생산 규모를 결정하기 때문에 선단 공정을 통해 칩 사이즈를 줄여서 원가를 낮추는 것보다는 고객의 요구 수준에 맞는 품질의 제품을 적기에 안정적으로 공급하는 것이 보다 중요합니다. 그리고 HBM 칩 구조상 셀 영역에 해당되는 면적이 상대적으로 작기 때문에 선단 공정을 적용하더라도 칩 사이즈를 줄이는 것에 대한 베네핏이 제한적입니다. 따라서 당사는 적기에 안정적인 품질의 HBM4 제품을 공급하기 위해서 이미 안정성과 양산성이 검증된 1b 나노미터 테크 그리고 어드벤스드, MR-MUF 기술을 적용해서 준비 중에 있고, 예정대로 25년 하반기 고객 출하를 목표로 하고 있습니다. 이를 통해서 적기 공급뿐만 아니라 투자 효율성도 확보해서 지속적으로 시장 리더십과 이익 안정성을 지켜 나갈 예정입니다. [끝]