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2나노 이하 미세 공정 선점 노리는 인텔, '1.4나노' 로드맵 공개
2나노 이하 미세 공정 선점 노리는 인텔, '1.4나노' 로드맵 공개
  • 노태민 기자
  • 승인 2024.02.22 01:30
  • 댓글 0
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인텔, 미국 새너제이서 IFS 다이렉트 커넥트 개최
1.4nm부터 ASML 하이 NA EUV 장비 적용
'BSPDN' 파운드리 기업 중 가장 먼저 도입
파운드리 후발주자 인텔이 18A(1.8nm)에 이어 14A(1.4nm) 공정 개발에 나선다. 오는 2027년까지 14A 공정 양산을 시작해 2nm 이하 시장 선점에 나선다는 계획이다. 14A 양산에는 하이 개구수(NA) 극자외선(EUV) 장비가 사용될 예정이다. 인텔은 21일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 인텔 파운드리 서비스(IFS) 다이렉트 커넥트 행사에서 14A 공정 로드맵을 발표했다. 정확한 양산 시점에 대해 공개하진 않았지만, 미세 공정 시장 선점을 위해 경쟁사(삼성전자, TSMC) 대비 양산시기를 앞당길 것으로 추정된다. 이번 로드맵 공개는 인텔의 미세 공정 개발 계획이 순조롭게 진행되고 있다는 방증이다. 팻 겔싱어 인텔 CEO는 지난 2021년 4년간 ▲인텔 7(10nm) ▲인텔 4(7nm) ▲인텔 3(4nm) ▲인텔 20A ▲인텔 18A 등 5개 공정을 완성하겠다고 밝힌 바 있다. 14A 공정 개발과 양산은 미국 오레곤에서 이뤄질 것으로 보인다. 오레곤은 인텔의 주요 연구소와 팹이 위치한 도시다. ASML의 하이 NA EUV 장비도 오레곤에 위치한 DX1 팹에 셋업되고 있다. 14A 외에도 인텔 3-T, 인텔 18A-P, 인텔 14A-E 등 공정도 공개했다. T는 실리콘관통전극(TSV), E는 기능 확장(Feature Extension), P는 성능 향상(Performance Improvement) 등을 의미한다. TSMC의 N3E, N3P 등 공정과 유사한 개념으로, 파운드리 고객들을 위해 여러 선택지를 제공하겠다는 이야기다. 인텔은 후면전력공급(BSPDN) 기술도 경쟁사 대비 빠르게 적용한다고 강조했다. BSPDN은 전력 배선을 웨이퍼 후면에 배치해 전력 및 신호 라인의 병목 현상과 셀 활용률 등을 개선하는 설계 구조다. 인텔은 내년 출하 예정인 20A 공정부터 BSPDN을 적용한다.
IFS 다이렉트 커넥트는 인텔이 여는 첫 파운드리 외부 행사다. 인텔의 주요 경영진이 행사에 참여해 IFS 에코시스템과 기술력을 소개한다. IFS 에코시스템은 ▲EDA 얼라이언스 ▲IP 얼라이언스 ▲디자인서비스 얼라이언스 ▲클라우드 얼라이언스 ▲USMAG 얼라이언스 등 5개 얼라이언스로 이뤄져 있다. 얼라이언스에는 시높시스, 케이던스 등 설계자산(IP) 및 전자설계자동화(EDA) 기업부터 디자인서비스 기업 캡제미니(Capgemini), HCL테크, 테크마힌드라(Tech Mahindra) 등 34개사로 구성돼 있다. 한편, 이날 행사에는 팻 겔싱어 인텔 CEO 등 인텔 측 인사 외에도 지나 러몬도 미국 상무부 장관부터 샘 올트먼 오픈 AI CEO, 사티아 나델라 마이크로소프트(MS) CEO 등 외부 인사도 연사로 참여했다.

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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