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반도체 투자 빙하기 끝?...올해 HBM, 선단 D램 장비기업들만 '웃는다'
반도체 투자 빙하기 끝?...올해 HBM, 선단 D램 장비기업들만 '웃는다'
  • 노태민 기자
  • 승인 2024.01.05 14:51
  • 댓글 0
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삼성전자·SK하이닉스 HBM, 선단 D램 위주 투자
"삼성전자 세메스 수십 대 이상 TC 본더 발주 진행"
APTC, 유진테크, 주성 등 기업 1b 관련 장비 공급
지난해 말부터 메모리 반도체 가격 상승세가 이어지면서, 국내 메모리 반도체 기업의 투자가 회복될 것이라는 기대감이 커지고 있다. 특히, SK하이닉스향 장비 기업들은 지난해 지연된 장비 발주가 올해 재개될 것으로 고대하는 상황이다. SK하이닉스는 지난해 시설투자(CAPEX)를 2022년 대비 50% 이하 수준으로 집행한 것으로 알려졌다.  업계에서는 국내 메모리 반도체 기업들의 투자가 D램 선단 공정과 고대역폭메모리(HBM) 관련 공정에 집중될 것으로 보고 있다. 상대적으로 낸드플래시 등 다른 분야 투자 위축은 지속될 것이라는 게 대체적 전망이다. 올해 반도체 장비사들의 실적이 양극화될 수 있다는 얘기다.  5일 업계에 따르면 D램 선단 공정과 HBM 관련 장비 발주가 본격화되고 있다. 특히 삼성전자가 HBM 생산능력(CAPA) 확장에 나서면서 HBM 장비 대규모 발주에 나선 것으로 알려졌다.  업계 관계자는 "삼성전자가 세메스에 수십 대 이상의 TC본더 발주를 진행한 것으로 알고 있다"고 귀띔했다. TC본더는 열 압착 본딩 장비로 D램을 적층하는데 사용된다. HBM과 더블데이터레이트5(DDR5) 양산에 필수적인 장비다. SK하이닉스도 지난해 한미반도체에 수십 대 규모의 TC 본더를 발주한 바 있다.  램리서치의 실리콘관통전극(TSV) 식각 장비 '신디온'과 다마신(Damascene) 세이버(SABRE) 3D장비도 발주했을 것으로 추정된다. 신디온은 웨이퍼 깊은 부분까지 식각 가능한 대표적인 딥 실리콘 식각 장비로 TSV·트렌치 등 고종횡비 피처를 형성하는 데 사용된다. HBM TSV 배선 형성에는 세이버 3D가 쓰인다. 식각한 웨이퍼 홀에 구리를 충진 시켜 배선을 만드는 방식이다. 해당 장비의 경우 램리서치가 삼성전자와 SK하이닉스 양사에 독점 공급 중이다.
이외에도 제우스 세정 장비와 피에스케이홀딩스, 에스티아이 등 리플로우 장비 등 공급 논의가 진행되고 있다.  삼성전자와 SK하이닉스가 D램 테크마이그레이션에 집중할 것을 선언한 만큼, D램 선단 투자도 늘어날 것으로 기대된다. 삼성전자와 SK하이닉스 HBM 및 서버용 D램 수요 대응을 위해 1a, 1b D램 CAPA 확장을 준비하고 있다. SK하이닉스의 경우, 1b D램 생산능력을 현재 대비 2배 이상 늘리기 위해 설비투자를 계획 중이다.  관련 장비 발주도 이어지고 있다. 업계 관계자는 "SK하이닉스에 식각 장비를 공급 중인 에이피티씨의 경우 지난해 대비 선단 공정용 장비 발주가 크게 증가했다"며 "지난해 대비 실적이 대폭 증가할 것"이라고 말했다. 이어 "유진테크, 주성엔지니어링 등 기업도 1b 공정용 장비를 공급하고 있다"고 덧붙였다.  반면, 원익IPS, 케이씨텍 등 기업은 지난해 대비 소폭 나아진 실적을 거둘 것으로 보인다. 장비 업계 관계자는 "원익IPS는 선단 공정 관련 장비에 한해 일부 발주하는 수준인 것으로 파악하고 있다"고 전했다. 케이씨텍에 대해서는 "최근 케이씨텍이 HBM 화학적기계연마(CMP) 관련해서 이슈가 되고 있는데, 케이씨텍 주력 제품은 버핑용 CMP다"라며 "텅스텐 CMP 장비도 일부 하고 있지만, 구리 배선 제거가 필요한 HBM용 CMP 장비는 해외 장비 기업이 공급하고 있다"고 설명했다. 

디일렉=노태민 기자 [email protected]
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